低介電常數(shù)介質(zhì)薄膜及其金屬化研究.pdf

1、隨著集成電路特征尺寸趨向0.18μm,互連電阻-電容(RC)延遲、功耗、串?dāng)_變得更加難以容忍.為了解決這些問題,用低介電常數(shù)材料做互連介質(zhì)是顯得非常緊迫.在此背景之下,作者研究了低介電常數(shù)材料薄膜的制備、結(jié)構(gòu)和性能及其與互連金屬的相互作用,獲得了許多新的突破.第一、采用旋涂的方法和利用相分離原理制備了超低介電常數(shù)多孔AF薄膜,在1MHz下該薄膜的介電常數(shù)接近1.57,在1MV/cm的電揚(yáng)強(qiáng)度下其漏電流為1×10<'-5>A/cm<'2>

2、.第二、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)方法,首先以TEOS/C<,4>F<,8>/Ar為原料氣淀積了a-SiCOF復(fù)合材料薄膜,該薄膜的介電常數(shù)隨著C<,4>F<,8>流量的增大而降低.研究了反應(yīng)氣體中氬氣的存在對薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響.最后,該文又以TEOS/C<,4>F<,8>/O<,2>/Ar為原料氣淀積了高摻碳的a-SiCOF薄膜,當(dāng)C<,4>F<,8>流量為30sccm時淀積到的薄膜中碳含量高達(dá)25﹪,超過了硅的含量