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文檔簡介
1、隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)器件集成度的提高，亟需開發(fā)新型低介電常數(shù)(low-k)材料來降低由于特征尺寸的降低所帶來的信號容阻(RC)延遲、串?dāng)_以及能耗等問題。聚合物基復(fù)合薄膜在微電子行業(yè)具有廣闊的應(yīng)用前景，氧化硅介孔分子篩MCM-41具有超低介電常數(shù)，使其成為比較合適的低介電復(fù)合材料的填料。 本文主要研究了聚酰亞胺/介孔分子篩(PI/MCM-41)復(fù)合薄膜的制備方法及其性能。采用溶膠-凝膠法制備了MCM-41分子篩，分別通
2、過原位分散聚合工藝和球磨分散工藝將具有超低介電常數(shù)的MCM-41粒子復(fù)合到PI基體中以制備低介電常數(shù)PI/MCM-41復(fù)合薄膜。采用TEM、SEM、UV-Vis、TGA、阻抗分析儀等對復(fù)合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、熱性能、電性能等進行了研究。 結(jié)果顯示：無機粒子在PI/MCM-41復(fù)合薄膜中分散均勻，介電常數(shù)降至2.58，體積電阻率和擊穿場強均得到提高，分別達到3.139×10<'16> Ω.m和255.45MV.m<'-1>。球磨工藝得
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