氮化鋁共燒基板金屬化及其薄膜金屬化特性研究.pdf

1、大規(guī)模集成電路的發(fā)展,對芯片之間的互連提出了更高的要求,高端電子系統(tǒng)中高密度封裝技術(shù)逐漸成為發(fā)展的主流.氮化鋁(AIN)陶瓷具有高導(dǎo)熱率、低介電常數(shù)、高強度、高硬度、無毒性、熱膨脹系數(shù)與Si相近等良好的物理性能,采用氮化鋁作為介質(zhì)隔離材料制備的AIN多層布線共燒基板,在高密度、大功率MCM的封裝以及MEMS封裝等方面具有廣泛的應(yīng)用前景.共燒導(dǎo)帶漿料與AIN生坯之間的燒結(jié)應(yīng)力是造成基板失效的原因.AIN陶瓷的助燒劑是CaO和Y<,2>O<

2、,3>,在燒結(jié)過程中會形成YAlO和CaAlO液相.在陶瓷介質(zhì)和導(dǎo)帶漿料之間的界面位置,有SiO<,2>、AlN,以及AlN的添加劑CaO和Y<,2>O<,3>存在,它們四種單質(zhì)材料發(fā)生反應(yīng),在界面位置形成ysialon,casialon玻璃相和CaSiAlO和YSiO的晶相,提高了焊盤的附著力.聚酰亞胺(PI)是薄膜多層布線的重要介質(zhì)材料,它是由兩種單體在熱處理后聚合而成.Cr/Cu/Cr是目前常用薄膜互連結(jié)構(gòu).通過分析AIN襯底上沉