d0前期過渡金屬氨基化合物的合成及結(jié)構(gòu)表征.pdf

1、納米時代,發(fā)展新型的高介電常數(shù)(high-k)電介質(zhì)材料以取代沿用至今的二氧化硅作為閘極電介質(zhì)是當前微電子材料領(lǐng)域所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。金屬烷氧化合物、硅基化合物和氨基化合物的CVD反應(yīng)已經(jīng)用來制備這些材料,但是,CVD反應(yīng)過程通常比較復(fù)雜,其中的機理到目前還不十分清楚。通過設(shè)計合成一系列可作為CVD源的前期過渡金屬烷氧化合物、硅基化合物和氨基化合物,并在此基礎(chǔ)上探索CVD源化合物的組成、結(jié)構(gòu)與形成high-k膜材料的關(guān)系,從而為篩

2、選與合成潛在的high-k材料提供理論支持。
　　 本文利用過渡金屬氯化物(TaCl5、NbCl5、ZrCl4、HfCl4)與二(三甲基硅基)氨基鋰[LiN(SiMe3)2]反應(yīng),二甲基氨基鋰(LiNMe2)和碳化二氨(CyN=C=Ncy)反應(yīng)得到一系列的可作為CVD源的過渡金屬氨基化合物,并利用核磁共振,X-ray單晶衍射等對其進行了表征。
　　 1.利用過渡金屬氯化物(TaCl5、NbCl5)與二(三甲基硅基)氨基鋰

3、[LiN(SiMe3)2]反應(yīng),得到了化合物TaCl3[N(SiMe3)2]2(1)、NbO[N(SiMe3)2]3(2),并將TaCl3[N(SiMe3)2]2(1)與二甲基氨基鋰(LiNMe2)進行了核磁研究。
　　 2.利用過渡金屬氯化物(ZrCl4、HfCl4)與二(三甲基硅基)氨基鋰[LiN(SiMe3)2]反應(yīng),得到了化合物ZrCl[N(SiMe3)2]3(3)和HfCl[N(SiMe3)2]3(4),并與苯基硅烷(