AlGaN-GaN肖特基二極管特性分析及結(jié)構(gòu)優(yōu)化.pdf

1、大功率的肖特基二極管廣泛地應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換電路中，長(zhǎng)期以來(lái)，人們一直使用Si基肖特基二極管，但是現(xiàn)有的Si基功率器件已經(jīng)接近其理論極限，為了進(jìn)一步提高效率和功率密度，人們開(kāi)始將目光投向?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料，例如 GaN，SiC材料。AlGaN/GaN肖特基二極管利用AlGaN/GaN HEMT現(xiàn)有的研究成果，成為GaN基肖特基二極管研究熱點(diǎn)。但是隨著研究的深入，其弱點(diǎn)也逐漸暴露出來(lái)，而這些弱點(diǎn)與器件的結(jié)構(gòu)與制備工藝緊密相關(guān)。
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2、先對(duì)AlGaN/GaN肖特基二極管進(jìn)行了電學(xué)測(cè)試，考慮了多種不同的電流輸運(yùn)機(jī)理后，對(duì)與溫度有關(guān)的電流-電壓特性進(jìn)行了分析。通過(guò)擬合從總電流中提取出純熱電子發(fā)射電流，計(jì)算出更為準(zhǔn)確的勢(shì)壘高度值，約為(1.43~1.47)eV，勢(shì)壘高度隨溫度升高有輕微地降低。結(jié)果表明采用傳統(tǒng)方法將總電流等效為熱電子發(fā)射電流所計(jì)算出來(lái)的勢(shì)壘高度(1.05~1.37)eV很明顯低了很多。并粗略計(jì)算了與隧穿電流有關(guān)的缺陷的濃度。然后分析了肖特基接觸尺寸對(duì)AlGa