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文檔簡介
1、IIABSTRACTProximitylithographyisamaturetechnologyofopticalexposurewhichusedlongtime.Butduringactualprocessofmassproductionmanyfactswillaffectthegraphicqualityofexposureresultingingraphicdisttion.Suchaslightsourcethegapbe
2、tweensiliconmaskunifmityofphotoresistonthewafersurfaceotherfactsfexampleprocesscontrol.FirstofallthecontactproximityopticalpartsofCanonPLA501wereintroducedanalyzedtheetically.Thedistributionoflightintensityonthesiliconsu
3、rfacewascalculated.Thenthesettingofgapsettingpartswasdescribedstepbystepindetail.Lasttheerrofgapsettingwasestimatedbytheprobabilitythey.ThepatternqualityofproximitylithographyaboutCanonPLA501wasanalyzedalsothedeviationfa
4、ctingraphicreplication.Withalotofexperimentstheexperimentaldataofthelithographylinewidthwasobtainedinvariousfacts.Fexamplethegapbetweenwafermaskwaswiderthelinewidthafterlithographywasbiggerunevendistributionoflightintens
5、itywouldaffecttheunifmityoflinewidththeunifmitythicknessphotoresistsonwaferalsorelatetolinewidth.Someconclusionswereobtainedbytheanalysisexperimentaboutpatterndisttionfproximitylithographymode.Themostimptantelementistheg
6、apbetweensiliconmasksowemustensuretheunifmityrepeatabilityofthegapfexcellentlithographylinewidth.Wemadeimprovementinthekeycomponentsofgapsettingparallelcalibrationgearvacuumclutchflatcalibrationmodealso.Secondlytherewere
7、fourlithographysetsthatexposureintensityhadpounifmity.Alittleadjustmentwasdoneontheiropticalpathstherefeunifmitycapabilityofsetswasimprovedgreatly.FinallyNo.4coatingmachinewasreconstructedwhichdidnotwkunifmphotoresistthi
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