VDMOS功率器件和無(wú)源集成器件工藝開(kāi)發(fā)和控制及其成品率的研究.pdf

1、隨著集成電路的迅速發(fā)展，制造工藝技術(shù)的不斷提高，使得CMOS的尺寸越來(lái)越小，從而使得集成電路的集成度越來(lái)越高。但在其間，一些特殊器件扮演了重要的角色。 與CMOS工藝相比，雖然由于工藝本質(zhì)特征使其器件的尺寸比較大，但是，在某些高頻率、大功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域，大功率器件和無(wú)源器件較CMOS器件具有無(wú)法取代的優(yōu)勢(shì)。本文主要闡述了功率器件VDMOS和無(wú)源器件制造工藝的建立，并解決了這兩個(gè)工藝中關(guān)鍵問(wèn)題，使得工藝獲得好的成品率，并進(jìn)行量產(chǎn)

2、流程(一)介紹工作電壓20V、30V、60V、lOOV系列VDMOS工藝，工藝是通過(guò)技術(shù)轉(zhuǎn)移在上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司(ASMC)開(kāi)發(fā)的一種特殊工藝，工藝采用特殊的設(shè)計(jì)，通過(guò)背面減薄和背面金屬化的方法，將VDMOS漏電極搬到背面，使得溝道由橫向變成縱向，進(jìn)一步提高了電流能力。論文闡述了通過(guò)大量的實(shí)踐，主要對(duì)減小導(dǎo)通電阻，漏電流控制，在線顆?？刂迫齻€(gè)關(guān)鍵問(wèn)題進(jìn)行的研究和解決，大幅度提高了產(chǎn)品良率，本論文的研究課題來(lái)源于企業(yè)的大規(guī)模生產(chǎn)實(shí)