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文檔簡介
1、隨著能源危機(jī)的提前到來,低碳經(jīng)濟(jì)成為當(dāng)今發(fā)展的主流,而作為綠色光源的白光LED成為人們廣泛關(guān)注的熱點(diǎn)。隨著大功率白光LED對熒光粉提出的新要求,含有Si-N共價鍵的熒光體以其優(yōu)良的性能,如良好的熱穩(wěn)定性等,日益成為白光LED用新型高效的熒光材料。本文將圍繞這類白光LED用含Si-N共價鍵的熒光體展開研究,重點(diǎn)研究了離子共摻雜對含Si-N共價鍵熒光體的熒光增強(qiáng)作用,引入Si-N共價鍵后熒光粉光色特性的改變,含Si-N共價鍵熒光體的探索性制
2、備以及一些熒光粉的熱穩(wěn)定性評價,獲得的主要成果如下:
⑴成功制備了白光LED用含Si-N共價鍵的SrSi2O2N2:Eu2+綠色熒光粉,制備的這類熒光粉樣品可以被300~460 nm的紫外光(UV)至可見光有效地激發(fā),發(fā)射峰是538nm左右的單一寬譜綠光發(fā)射,隨著Eu2+摻雜濃度的增大,發(fā)射峰值逐漸增大,發(fā)射峰位逐漸紅移。對此熒光粉共摻雜Mn2+后成功實(shí)現(xiàn)樣品的熒光發(fā)射增強(qiáng),發(fā)射峰值的強(qiáng)度提高到原來的364%。其增強(qiáng)機(jī)理是
3、:Eu2+、Mn2+的發(fā)射在530 nm附近產(chǎn)生了重疊。對此熒光粉共摻雜Pr3+后同樣成功實(shí)現(xiàn)了樣品的熒光發(fā)射增強(qiáng),發(fā)射峰值的強(qiáng)度提高到原來的268%。其增強(qiáng)機(jī)理是:Pr3+進(jìn)入SrSi2O2N2基質(zhì)晶格中引入的兩種缺陷(取代位缺陷和空位缺陷)導(dǎo)致了基質(zhì)晶體對稱性和晶體場的改變,從而引起Eu2+躍遷概率的增強(qiáng)。另外對這種熒光粉固溶Ba2+后成功實(shí)現(xiàn)樣品發(fā)射峰位的紅移。
⑵將Si-N共價鍵引入SrAl2Si2O8的晶格時,成
4、功調(diào)節(jié)了這種熒光粉的光譜性質(zhì)和色度學(xué)特性。隨著Si-N共價鍵含量的增加,出現(xiàn)了Eu2+藍(lán)光發(fā)射帶紅移和展寬以及Mn2+黃光發(fā)射帶的增強(qiáng)現(xiàn)象,成功實(shí)現(xiàn)了SrAl2Si2O8:Eu2+,Mn2+熒光粉白光發(fā)射的優(yōu)化,得到的白光色坐標(biāo)為:0.287,0.227,顯色指數(shù)為78.3,色溫8739 K。其作用基理是:Si-N鍵引入后,Eu2+5d激發(fā)態(tài)重心的下降導(dǎo)致了藍(lán)光發(fā)射帶的紅移;晶體場劈裂能的變強(qiáng)導(dǎo)致了Eu2+躍遷發(fā)射的展寬;Eu2+和Mn
5、2+之間能量傳遞效率的提高導(dǎo)致了Mn2+黃光發(fā)射帶相對發(fā)射強(qiáng)度的增強(qiáng)。
⑶對白光LED用含Si-N共價鍵的紅色熒光粉Ca2Si5N8:Eu2+的制備進(jìn)行探索性的研究,從而制備出含有Ca2Si5N8主相,Si3N4次相的熒光粉樣品。365 nm激發(fā)下,樣品發(fā)出450 nm和600 nm兩種發(fā)射,分別由Eu2+在Si3N4和Ca2Si5N8中的躍遷發(fā)射引起。樣品的發(fā)射和激發(fā)光譜強(qiáng)度隨著Eu2+摻雜濃度x的增大而增大,當(dāng)x=0.
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