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文檔簡(jiǎn)介
1、采用高溫固相法合成了適用于藍(lán)光和近紫外光LED芯片的釔鋁石榴石黃色熒光粉和硅酸鍶鋇摻銪綠色熒光粉,通過(guò)X射線衍射(XRD)分析、掃描電鏡(SEM)觀察、粒度分析儀測(cè)試和光譜儀檢測(cè)等手段研究了粉未樣品的組織與性能,并開展了基質(zhì)組成、助熔劑、氧化鋁、氣流粉碎工藝等一系列產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究。研究結(jié)果表明:
1.采用高溫固相法可以合成Y3Al5O12∶Ce及其取代衍生物,灼燒溫度、還原溫度、保溫時(shí)間、還原氣氛以及激活劑Ce3+的摻雜濃
2、度等都會(huì)對(duì)熒光粉相組成及發(fā)光性能產(chǎn)生影響。
2、采用高溫固相法合成的摻Tb3+、Gd3+、Ga3+和Pr3+的YAG熒光粉,在摻雜適量稀土元素后仍為立方晶系結(jié)構(gòu)。鋱離子的摻雜有利于提高YAG∶Ce在530nm處的發(fā)射峰強(qiáng)度,當(dāng)Tb3+濃度為0.1時(shí)發(fā)光亮度最高;釓離子的摻雜使發(fā)射峰的位置發(fā)生紅移,當(dāng)釓離子的濃度從0.2變化到1.0,發(fā)射峰波長(zhǎng)從535nm紅移到560nm;鎵離子的摻雜使340nm和450nm的激發(fā)峰出現(xiàn)藍(lán)移
3、現(xiàn)象,當(dāng)鎵離子濃度為0.8時(shí)發(fā)光效率最高;鐠離子的摻雜增加了610nm、638nm的紅光發(fā)射,補(bǔ)充了YAG∶Ce在紅光部分的不足。
3、采用高溫固相法合成的近紫外光激發(fā)的正硅酸鍶鋇摻銪熒光粉中,Ba2SiO4∶Eu2+發(fā)射光譜為寬譜帶,發(fā)射主峰位于500nm附近,主要是Eu2+的5d-4f躍遷,激發(fā)光譜為270-470nm的寬譜帶,其中380nm的激發(fā)峰最強(qiáng);(Ba,Sr)2SiO4∶Eu2+的發(fā)射光譜也為寬譜帶,通過(guò)調(diào)整
4、Ba/Sr比例實(shí)現(xiàn)發(fā)射主峰500~560nm變化可調(diào)。
4、對(duì)YAG∶Ce熒光粉進(jìn)行了產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究,通過(guò)采用新型低能耗、精確控溫、快淬冷凝構(gòu)造的高溫合成窯爐以及氣流粉碎工藝,實(shí)現(xiàn)了YAG熒光粉的晶體生長(zhǎng)速度及晶粒大小可控,制備出了D10=3.6um,D50=5.12um,D97=6.8um類球形的YAG∶Ce熒光粉。
5、采用本課題研制的(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12∶Ce熒光粉和450nm藍(lán)光LED
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