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文檔簡介
1、隨著電子產(chǎn)品對大面積、高精度成像的需求,對印制電路板的設(shè)計(jì)與制造的要求也越來越高。這也推動了PCB生產(chǎn)所需的曝光設(shè)備的研制。同時(shí),對制造成本的持續(xù)壓力,要求設(shè)備在滿足其性能需要的同時(shí)也要降低成本??梢酝ㄟ^提高生產(chǎn)量、使用傳統(tǒng)光致抗蝕劑等關(guān)鍵因素。
傳統(tǒng)的PCB曝光工具所存在的缺陷逐漸暴漏出來:基板尺寸有限、產(chǎn)量低、接縫誤差大,精度低,效益差,成本高等等。一種新型的激光投影成像(LPI)曝光應(yīng)運(yùn)而生,取代了傳統(tǒng)的汞燈曝光,采
2、用351nm的XeF準(zhǔn)分子激光作為其光源。并且這種曝光是用傳統(tǒng)的光致抗蝕劑,傳統(tǒng)的融石英玻璃掩模版。
基于LPI系統(tǒng)理論,我們研制了激光光刻設(shè)備,只要我們調(diào)整好合適的參數(shù),該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)在460mmx610mm基板區(qū)域內(nèi)大面積曝光,并達(dá)到10μm的分辨力。它消除了當(dāng)前光刻設(shè)備的限制。它的優(yōu)勢是可以在PCB制造中馬上得到應(yīng)用而不需要對目前的光刻膠還有光刻工藝做任何改變。
該設(shè)備由四個(gè)主要的部分組成:波長為351
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