ZnO的發(fā)光性質和霍爾測量.pdf

1、ZnO是一種很有前景的半導體材料，它可用來制造多種光電器件，如透明晶體管、紫外發(fā)光二極管等。要想得到發(fā)光二極管，就必須制備出高質量的n-ZnO和p-ZnO，但是后者很難制備。近年來，有不少關于p-ZnO的報道，然而有些研究人員懷疑是否真的制備出p-ZnO，因為在這些報道中給出的載流子濃度或遷移率太高了。為了確定載流子類型，就必須進行霍爾測量。在這篇文章中，我們測量了n-ZnO多晶霍爾效應，發(fā)現(xiàn)了一些反常的測量結果，并對其進行了分析。另外

2、，還報道了銀摻雜對ZnO光電性質的影響。論文共分三張，每章的主要內(nèi)容概括如下： 第一章綜述了ZnO的光致發(fā)光性質和霍爾測量的基本原理。ZnO單晶的光致發(fā)光譜主要分兩個部分：激子躍遷在紫外部分的發(fā)光；源于缺陷能級的可見光。作者認為ZnO中同時存在著幾個發(fā)光中心，并通過調研給出了的一定的證據(jù)。接著介紹了位于紫外部分的一些發(fā)光峰，以及和這些發(fā)光峰相應的物理機制。最后，我們介紹了霍爾測量的基本原理和一些新的霍爾測量方法。 在第二

3、章討論了銀摻雜對ZnO薄膜光電性質的影響。ZnO薄膜是用溶膠凝膠法在p-Si的(100)上制備的。我們研究了銀摻雜引起的ZnO光致發(fā)光和電流電壓特性的變化：一方面，銀使ZnO紫外部分的發(fā)光明顯增強，可見光的峰位發(fā)生紅移；另一方面，摻雜的銀改變了ZnO/p-Si異質結的電流電壓特性。這些現(xiàn)象都和銀代替了鋅的位置有關。 第三章報道了在多晶ZnO霍爾測量過程中出現(xiàn)的一些反常的結果。我們還對具有肖特基結的p-Si單晶進行了霍爾測量，也出