SiO-,2--ZnO復(fù)合納米纖維的制備、表征及發(fā)光性質(zhì)研究.pdf

1、一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)在光學(xué)、光電器件及介電等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。一維半導(dǎo)體納米晶具有良好的限域、均勻的幾何形狀、結(jié)晶性易于控制等優(yōu)點,使其成為近年來半導(dǎo)體研究中最活躍的領(lǐng)域。不同種類和形貌的一維半導(dǎo)體納米材料不斷地被合成出來,一維半導(dǎo)體納米晶在向器件方向發(fā)展方面取得了突破性的進(jìn)展。
　　 本論文通過溶膠一凝膠法,采用靜電紡絲技術(shù),選取聚乙烯吡咯烷酮(PVPMn=900000)和多種無機鹽為前軀物,經(jīng)過高溫煅燒之后,制備了SiO

2、2-ZnO復(fù)合納米纖維,為制備一維復(fù)合無機納米材料提供了一條新的途徑。
　　 采用掃描電鏡、X射線粉末衍射、紅外光譜、光致發(fā)光等表征手段對樣品進(jìn)行了分析。結(jié)果研究表明,經(jīng)過對復(fù)合納米纖維進(jìn)行熱處理,得到了純凈的SiO2-ZnO復(fù)合納米纖維,纖維形貌為規(guī)則的一維管狀結(jié)構(gòu),表面比較光滑,直徑為300—900nm,直徑分布比較均勻。研究發(fā)現(xiàn),未煅燒之前復(fù)合納米纖維,缺陷態(tài)發(fā)光較強；隨著煅燒溫度的逐漸升高,紫外發(fā)光效率逐漸增強,缺陷態(tài)發(fā)