ZnS納米晶的結(jié)構(gòu)、缺陷與發(fā)光.pdf

1、本文以退火和清洗為實(shí)驗(yàn)手段,較深入的研究了ZnS納米晶顆粒尺寸、結(jié)構(gòu)相變、顆粒表面態(tài)和發(fā)光性質(zhì),論文主要內(nèi)容如下:1 用均相沉淀法合成了晶粒度為11nm的ZnS納米晶.借助X射線衍射技術(shù)和掃描隧道電鏡等實(shí)驗(yàn)手段,系統(tǒng)研究了ZnS納米晶經(jīng)過退火處理后尺寸隨溫度的變化關(guān)系,給出了顆粒尺寸隨處理溫度急劇增大的溫度范圍,從能量的角度解釋了退火處理中顆粒長大的原因.2 確定了ZnS納米晶由立方相向單斜相轉(zhuǎn)變的臨界溫度.該溫度遠(yuǎn)低于ZnS體材料的相

2、變溫度1020℃.參照文獻(xiàn)中報(bào)導(dǎo)的CdS納米晶的熔點(diǎn)溫度比相應(yīng)體材料的熔點(diǎn)溫度低了約1000K的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,我們對(duì)ZnS納米晶中較低的相變溫度也給出了相應(yīng)的解釋.3 系統(tǒng)的比較了退火處理后ZnS納米晶和商用熒光粉的光致發(fā)光強(qiáng)度.4 通過改變ZnS納米晶制備過程中清洗的次數(shù),比較了清洗前后發(fā)光強(qiáng)度的變化,分析了自激活發(fā)光中心在納米晶中的分布狀況.5 借助Raman光譜,EPR(電子順磁共振)光譜以及紫外輻照誘導(dǎo)的光譜變化等實(shí)驗(yàn)手段,較深入的