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文檔簡介
1、在本文中,用煅燒法合成了一系列含有不等量N-graphene的N-graphene/CdS復合光催化劑,并通過X射線衍射(XRD)、TEM、HRTEM、拉曼散射,N2吸收、紫外-可見吸收、X-電子能譜等手段對其進行表征。本文對N-graphene/CdS光催化劑在可見光(λ≥ 420 nm)條件下光催化分解水制氫活性進行了研究。研究結果表明N-graphene/CdS光催化劑的活性比單純CdS催化劑的活性高。光電流結果表明,N-grap
2、hene/CdS的光電流比CdS的光電流有很大的提高,說明CdS上產生的光電子極易轉移到N-摻雜的石墨烯上,從而抑制了光生電子-空穴的復合進而提高了催化劑的光催化分解水制氫的能力。在影響N-graphene/CdS復合光催化劑的催化活性上,N-graphene助催化劑的含量是主要影響因素,研究表明,N-graphene的質量百分含量為2 %時復合催化劑的光催化活性最高。作為對照,Graphene/CdS和GO(氧化石墨烯)/CdS復合催
3、化劑用同樣的方法合成出來,并對它們光催化分解水制氫活性進行了研究。研究結果表明,這三種催化劑的光催化活性由高到低排序為:N-graphene/CdS>graphene/CdS>GO/CdS>CdS。此外,在催化反應進行了30小時后N-graphen/CdS復合催化劑光催化制氫活性沒有明顯的降低,這說明了助催化劑N-graphene可以作為一個保護層來防止CdS催化劑的腐蝕。實驗表明,用N摻雜的石墨烯修飾相應的催化劑能有效提高其光分解水制
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