疊層鈍化及一種高效太陽(yáng)能電池的研究.pdf

1、隨著能源問(wèn)題的惡化，發(fā)展和利用太陽(yáng)能電池技術(shù)成為現(xiàn)今世界的主流，目前單晶和多晶太陽(yáng)能電池仍然占據(jù)市場(chǎng)的主要份額，如何提高此類太陽(yáng)能電池的效率是當(dāng)前我們必須面臨的主要問(wèn)題。論文結(jié)合生產(chǎn)研究SiO2和SiNx疊層鈍化對(duì)單晶太陽(yáng)能電池性能的影響，高陷光表面減反層對(duì)多晶太陽(yáng)能電池的各項(xiàng)性能的影響，以及一些擴(kuò)散的調(diào)試工作心得和相應(yīng)的少子壽命研究。
　　 高溫氧化得到SiO2膜對(duì)晶體硅電池有非常好的鈍化效果，它在硅片表面形成Si-O鍵，能夠

2、有效的減少表面缺陷，從而達(dá)到降低表面復(fù)合速率的目的，最終提高Si片的少子壽命極大地提高電池的性能，熱氧SiO2膜主要是依賴于降低表面態(tài)的鈍化方式，使界面電荷濃度很低。SiNx薄膜是常規(guī)工藝生產(chǎn)中的得到主要應(yīng)用的光學(xué)薄膜，一方面沉積SiNx薄膜的過(guò)程中伴隨著有H離子注入的過(guò)程，在這個(gè)過(guò)程中，H離子的注入起到相對(duì)良好的鈍化效果，另一方面，常規(guī)的PECVD工藝比較容易實(shí)現(xiàn)良好的減反薄膜，形成75nm的光學(xué)薄膜只需要20min左右。常規(guī)的熱氧氧

3、化成膜比較緩慢，長(zhǎng)時(shí)間的氧化的環(huán)境下才能形成10nm-20nm，所以本論文通過(guò)在熱氧氧化形成一層致密的SiO2層的基礎(chǔ)上再通過(guò)PECVD工藝沉積一層高質(zhì)量，高折射率的減反膜最終探究SiO2和SiNx雙層膜對(duì)優(yōu)化太陽(yáng)能電池各項(xiàng)電性能的影響。
　　 單晶硅是通過(guò)各向異性進(jìn)行腐蝕的，由于不同晶面族的鍵能和懸掛鍵的差異，會(huì)導(dǎo)致在堿液中有不同的腐蝕速率，最終形成金字塔結(jié)構(gòu)，多晶硅沒(méi)有單晶硅的各向異性，只能形成腐蝕坑狀結(jié)構(gòu)，所以多晶制絨的減