2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、一維相變納米材料為在納米尺度研究相變過(guò)程和材料熱性能提供了一個(gè)良好的科學(xué)平臺(tái),同時(shí)也是下一代高存儲(chǔ)密度相變存儲(chǔ)器的關(guān)鍵材料。一維相變納米線在相變存儲(chǔ)器上的應(yīng)用正在被廣泛的研究,In2Se3納米線作為一種重要的非易失性存儲(chǔ)材料,它有著很高的電阻率,105的電阻轉(zhuǎn)變率,在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)上,可以有比GeTe和Ge2Sb2Te5納米線更低的能耗,此外它有用作在太陽(yáng)能電池,光傳感器和鋰離子電池方面的巨大潛力。
　　 本文闡述了通過(guò)熱氣相沉積法制

2、備α-和κ-In2Se3納米線的合成過(guò)程,并通過(guò)原位同步輻射XRD研究了In2Se3納米線在熱退火過(guò)程中的晶體結(jié)構(gòu)變化。數(shù)據(jù)結(jié)果顯示κ-In2Se3納米線在500℃轉(zhuǎn)變?yōu)棣料?在更高的溫度700℃下轉(zhuǎn)變?yōu)?-5層狀的高溫α相,并且這種轉(zhuǎn)變?cè)跍囟冉档蜁r(shí)是不可逆的。并基于密度泛函理論,利用Materials Studio軟件,模擬了不同原子堆積的In2Se3模型結(jié)構(gòu)及衍射數(shù)據(jù),其結(jié)果與同步輻射衍射數(shù)據(jù)結(jié)果一致。此外,研究還發(fā)現(xiàn),退火前后的納

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