晶圓切割參數(shù)對(duì)低K介電層可靠性的影響.pdf

1、對(duì)于一些在電路結(jié)構(gòu)中采用低介電常數(shù)(low-k)薄膜作為介質(zhì)材料的產(chǎn)品，由于材料其本身的特性，往往在晶圓的切割過(guò)程中經(jīng)常出現(xiàn)崩邊崩角爆裂、隱裂、金屬層剝離脫落、表面金屬層殘留以及金屬表面碎屑玷污等現(xiàn)象。為克服、解決這一系列問(wèn)題，在常規(guī)的切割工藝基礎(chǔ)上，論文研究了多項(xiàng)工藝措施、輔助工具和相關(guān)原材料的選配、優(yōu)化。解決了在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)的上述問(wèn)題，確保了切割工藝的質(zhì)量，提升了企業(yè)的生產(chǎn)效率和經(jīng)濟(jì)效益。
　　研究中，我們引入了激光切割技術(shù)

2、，在應(yīng)用常規(guī)刀片（機(jī)械）切割來(lái)分割晶圓上的獨(dú)立單元器件前，先行采用激光切割技術(shù)在晶圓表面劃片區(qū)域開(kāi)槽，然后再由刀片切割來(lái)完成器件的分離。本文研究了相關(guān)工藝條件、環(huán)境的改進(jìn)和優(yōu)化;晶圓的切割是一項(xiàng)系統(tǒng)工程，為使切割工序達(dá)到一定的品質(zhì)要求，工藝中所使用的一些輔助工具、原材料也必須與之相匹配，工作中我闡述研究了切割刀片、膠帶以及可溶性涂抹溶液等工具和原材料對(duì)切割品質(zhì)的影響。完善了對(duì)低介電常數(shù)產(chǎn)品(low-k產(chǎn)品)切割工藝的改進(jìn)及優(yōu)化，對(duì)相關(guān)參