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文檔簡介
1、為充分利用太陽光,寬光譜高效率疊層薄膜太陽電池被成為研究重點。而作為電池第一窗口層的前電極TCO材料,也自然要求在較寬波長范圍內(nèi)具有較高的光透過率。為了更好地將前電極ZnO-TCO材料應用于全光譜高效疊層薄膜太陽能電池。本文利用金屬有機化學氣相沉積(metal organic chemical vapordeposition-MOCVD)技術(shù)在新的工藝條件下生長獲得可見光及近紅外區(qū)域透過率均大于80%的寬光譜透過ZnO-TCO薄膜,且與
2、其他制備TCO材料的技術(shù)相結(jié)合改善ZnO-TCO薄膜的表面微觀結(jié)構(gòu),具體研究內(nèi)容如下:
(1)提出“梯度摻雜”新工藝技術(shù),即在ZnO薄膜生長的不同階段采用不同摻雜劑的量。研究了“一梯度摻雜”技術(shù)和“多梯度摻雜”技術(shù)對MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影響。結(jié)果表明,“一梯度摻雜”技術(shù)能夠有效提高MOCVD-ZnO薄膜的晶粒尺寸,進而提高薄膜對光的散射能力。同時,“一梯度摻雜”技術(shù)生長的MOCVD-ZnO:B薄膜在可見光和近紅
3、外區(qū)域(<1400 nm)均具有較高的光透過率,大于85%。而“多梯度摻雜”技術(shù),由于各個摻雜量下薄膜生長不充分,薄膜的綜合性能較“一梯度摻雜”技術(shù)生長的薄膜仍需優(yōu)化提高。
(2)詳細研究了HF酸腐蝕玻璃襯底對ZnO薄膜表面形貌的影響。結(jié)果表明,HF酸腐蝕襯底,能夠有效提高MOCVD-ZnO:B薄膜在近紅外區(qū)域的散射透過率。且用濃度為40%的HF酸腐蝕襯底40 min時,薄膜在近紅外區(qū)域(900 nm~1400 nm)的散
4、射透過率提高了~10%。
(3)設計了雙層結(jié)構(gòu)以改善ZnO薄膜的性能。首先研究了濺射HGZO薄膜分別作為緩沖層和覆蓋層,對MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影響;其次研究了電子束蒸發(fā)技術(shù)生長的IWO薄膜作為緩沖層對MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影響。最后研究了平面MOCVD-ZnO:B薄膜作為覆蓋層對絨面MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影響。結(jié)果表明,HGZO薄膜和IWO薄膜作緩沖層,能夠有效增大薄膜的晶粒尺寸和光散射能力
5、。HGZO薄膜作覆蓋層,獲得的雙層結(jié)構(gòu)薄膜表面顆粒的邊緣變得圓滑。平面MOCVD-ZnO:B作覆蓋層,能夠改善薄膜表面顆粒間的狀況。
(4)將生長獲得的ZnO薄膜應用于Si基薄膜太陽電池。與“恒定摻雜”技術(shù)生長的ZnO:B薄膜相比,“梯度摻雜”技術(shù)生長的ZnO:B薄膜作為前電極,能夠有效提高Si基薄膜太陽電池(尤其是微晶硅電池)的短路電流密度。同時,通過在絨面MOCVD-ZnO:B表面覆蓋一層平面MOCVD-ZnO:B薄膜
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