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1、SiO2因其具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,而在工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用,它既可以直接用來(lái)制作光纖、晶振等光電子技術(shù)中的關(guān)鍵元件,還可以經(jīng)過(guò)還原后制成各種半導(dǎo)體元件,用于各種電子技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)和測(cè)量技術(shù)中。經(jīng)過(guò)細(xì)化的粉石英、硅微粉、白炭黑等微米甚至納米級(jí)SiO2更是在橡膠補(bǔ)強(qiáng)、紫外屏蔽、電子封裝材料等化工領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。作為集成電路封裝填充材料的硅微粉更是隨信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展而顯示出廣闊的發(fā)展前景,而今,大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路對(duì)封
2、裝材料的要求也越來(lái)越高,特別是對(duì)于顆粒形狀提出了球形化要求,因此進(jìn)一步研究顆粒SiO2的球形化,將具有廣闊的應(yīng)用前景。另外,對(duì)顆粒SiO2進(jìn)行表面功能性包覆,使其具有相應(yīng)的發(fā)光、著色等特性將進(jìn)一步拓展其應(yīng)用范圍,而以硅酸鹽為基質(zhì)的發(fā)光材料具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,長(zhǎng)期以來(lái)受到人們的普遍關(guān)注,在發(fā)光材料領(lǐng)域?qū)⒄紦?jù)很重要的地位。
本論文主要包括顆粒SiO2整形和在SiO2表面發(fā)光材料包覆兩個(gè)部分:
1)采用
3、化學(xué)法以及化學(xué)與機(jī)械相結(jié)合的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)顆粒SiO2的球形化,并對(duì)不同溫度、濃度和時(shí)間下的整形顆粒SiO2進(jìn)行了研究,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,單純的化學(xué)方法在溫度為220℃、KOH濃度為2.5%,反應(yīng)24h顆粒SiO2的整形效果最佳,此時(shí)的部分棱角變得圓滑,而再升高KOH的濃度,顆粒SiO2又會(huì)出現(xiàn)開(kāi)裂進(jìn)而顯示新的尖銳棱角,單純的化學(xué)方法對(duì)顆粒SiO2具有一定的整形效果;于是又嘗試了在不同濃度KOH對(duì)顆粒SiO2進(jìn)行球磨3h的處理,效果優(yōu)于上一方
4、法。
2)通過(guò)水熱合成法在顆粒SiO2表面包覆Mn2+摻雜Zn2SiO4(分別添加KOH或稀氨水),并對(duì)包覆層的結(jié)構(gòu)、形貌以及不同溫度、氣氛下熱處理后材料的光致發(fā)光性能進(jìn)行了研究,并對(duì)Zn2SiO4晶體在水熱反應(yīng)過(guò)程中的反應(yīng)機(jī)制進(jìn)行了討論。XRD測(cè)試結(jié)果表明,水熱條件下220℃,添加少量KOH,反應(yīng)不同時(shí)間后,可在石英砂表面生成一層Zn2SiO4,SEM照片顯示所生成的Zn2SiO4為六棱柱形,并且不同反應(yīng)條件下Zn2Si
5、O4的包覆程度不同。Mn2+摻雜納米Zn2SiO4包覆SiO2樣品中顯示兩套光致發(fā)光譜,一套為250nm左右激發(fā)產(chǎn)生的522nm綠色發(fā)光帶,另一套為340-410nm寬帶激發(fā)的440nm藍(lán)色發(fā)光帶,前者為典型的Mn2+離子發(fā)光,后者440nm發(fā)光帶則有可能起源于基體SiO2。而用氨水作催化劑,220℃反應(yīng)不同時(shí)間時(shí),未經(jīng)熱處理樣品只產(chǎn)生了520nm的綠色發(fā)光峰,經(jīng)熱處理后發(fā)光強(qiáng)度無(wú)明顯變化,但樣品均顯示出470nm~520nm的一個(gè)寬帶
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