納米工藝集成電路可尋址測(cè)試芯片的設(shè)計(jì)方法研究.pdf

1、測(cè)試芯片作為集成電路制造工藝提取工藝器件參數(shù)，評(píng)估工藝設(shè)備性能，制定版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，檢測(cè)工藝缺陷以及評(píng)估產(chǎn)品可靠性的重要手段，對(duì)縮短工藝開發(fā)周期、提升成品率起著重要的作用。隨著集成電路進(jìn)入納米工藝時(shí)代，復(fù)雜的制造工藝對(duì)測(cè)試芯片的測(cè)試需求不斷增加。測(cè)試芯片可尋址的設(shè)計(jì)方法由于能在有限的晶圓面積上對(duì)大量的測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)量，而成為當(dāng)前制造工藝領(lǐng)域的一大研究熱點(diǎn)。本文圍繞高測(cè)量精度、更高面積利用率的可尋址測(cè)試芯片的設(shè)計(jì)方法展開了以下方面的研究:<

2、br>　　 1)針對(duì)工藝開發(fā)初始階段工藝缺陷檢測(cè)的需要，提出了一種大型可尋址測(cè)試芯片的電路設(shè)計(jì)方法。每個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)采用四端法連接以及使用單一的IONMOS晶體管作為開關(guān)電路的做法，既提高了測(cè)試結(jié)構(gòu)的阻值/漏電測(cè)量精度，又使得測(cè)試結(jié)構(gòu)陣列規(guī)?？梢院艽?，提高了面積利用率。該方法通用性強(qiáng)、工藝可移植性好，已在65nmCMOS制造工藝得到驗(yàn)證。
　　 2)針對(duì)缺陷失效分析對(duì)缺陷精細(xì)定位的需求，對(duì)1）進(jìn)行擴(kuò)展。物理定位設(shè)備上能夠提供的探針

3、數(shù)量很少(＜10)，不足以讓大型尋址電路正常工作以維持測(cè)試結(jié)構(gòu)到PAD的通路。對(duì)此，利用原有電路僅增加少量探針引腳讓所有的測(cè)試結(jié)構(gòu)共用，并將維持測(cè)試結(jié)構(gòu)到探針引腳的通路需要的探針數(shù)量減少到3個(gè)。該方法在110nmCMOS工藝的應(yīng)用實(shí)例中得到證明，并成功定位到對(duì)該工藝的金屬斷路缺陷，并得到有效的失效分析。
　　 3)將1）的設(shè)計(jì)方法應(yīng)用到工藝量產(chǎn)階段工藝缺陷檢測(cè)，并針對(duì)劃片槽狹長(zhǎng)的特點(diǎn)，提出了適合的版圖設(shè)計(jì)方法。將整個(gè)版圖分成多個(gè)

4、獨(dú)立的模塊，每個(gè)模塊單獨(dú)設(shè)計(jì)，而且模塊的設(shè)計(jì)被定制為幾種固定的類型。該方法簡(jiǎn)化了版圖設(shè)計(jì)工作，而且使得設(shè)計(jì)的版圖自動(dòng)化程度高、擴(kuò)展性強(qiáng)、工藝可移植性好。該方法在45nmCMOS制造工藝得到驗(yàn)證。
　　 4)針對(duì)工藝波動(dòng)引起的MOS器件性能變異檢測(cè)、診斷、建模的需要，提出一種劃片槽MOS器件可尋址的設(shè)計(jì)方法。該方法可以同時(shí)擺放240個(gè)MOS器件，并能準(zhǔn)確測(cè)量每個(gè)MOS管的飽和電流、亞閾值漏電、柵極漏電以及閾值電壓VT。而且芯片生產(chǎn)