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文檔簡介
1、鑒于應(yīng)變硅技術(shù)在當(dāng)今集成電路領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，本論文利用基于密度泛函理論的第一性原理計算集中研究了應(yīng)力對體硅和硅納米線物理、電學(xué)特性的影響。首先，我們計算了體硅在靜水壓、雙軸應(yīng)力和單軸應(yīng)力下的能帶結(jié)構(gòu)、導(dǎo)帶底能量分裂和帶隙值。根據(jù)能帶結(jié)構(gòu)，我們得到電子和空穴的有效質(zhì)量，進(jìn)而求得電子和空穴的電導(dǎo)率有效質(zhì)量。結(jié)果表明靜水壓對電子電導(dǎo)率有效質(zhì)量影響最大，對空穴電導(dǎo)率有效質(zhì)量影響卻最小。
其次，通過帶隙和有效質(zhì)量的改變，我們分析了應(yīng)力對
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