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文檔簡介
1、本文重點(diǎn)介紹了S波段單電源低噪聲放大器的設(shè)計(jì)、制作與低溫調(diào)試的過程。在設(shè)計(jì)的過程中，首先，使用晶體管ATF-34143的單電源偏置，并達(dá)到了全頻段無條件穩(wěn)定。然后，在史密斯圓圖上分別做出等噪聲系數(shù)圓、等增益圓和等駐波比圓以確定匹配時(shí)可用的反射系數(shù)。最后采用史密斯圓圖與ADS軟件相結(jié)合的方法為高性能的放大器設(shè)計(jì)了匹配網(wǎng)絡(luò)。其中，晶體管的單電源偏置和全頻段穩(wěn)定是放大器高可靠性的保證，是本文研究的重點(diǎn)之一。制作出的低噪聲放大器在常溫下，工作頻
2、段2.15GHz-2.35GH內(nèi)測量得到，增益大約22dB，噪聲系數(shù)小于0.8dB，輸入輸出駐波比小于1.2。
通過大量的實(shí)驗(yàn)找出了放大器低溫與常溫下S參數(shù)的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)經(jīng)過簡單調(diào)試后該放大器可在低溫(77K)下正常工作。測量結(jié)果為噪聲系數(shù)大約0.5dB，增益為23dB，輸入、輸出駐波比小于1.35。實(shí)驗(yàn)證明，該放大器低溫下有更好的噪聲性能。本文還對低溫低噪聲放大器設(shè)計(jì)與制作中出現(xiàn)的問題進(jìn)行總結(jié)和分析，以方便后續(xù)的研究工作。
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