內(nèi)建自測試march算法的優(yōu)化研究.pdf

1、時(shí)至今日，隨著超大規(guī)模電路和超深亞微米工藝等相關(guān)技術(shù)日趨成熟，與之而來的問題愈發(fā)突出，存儲器良品率已無法滿足工業(yè)生產(chǎn)需要。目前芯片的測試成為制約芯片發(fā)展的一大瓶頸，由于半導(dǎo)體工藝提高測試難度成本增加，集成電路自動測試機(jī)(Automatic Test Equipment)測試已無法滿足常規(guī)測試需求，為了解決測試問題，關(guān)于芯片的內(nèi)建自測試BIST研究越來越深入。
　　在片上系統(tǒng)(SOC)的微電子應(yīng)用中大容量嵌入式存儲器對內(nèi)建自測試的依

2、賴愈加突出。由于嵌入式存儲器難以從芯片管腳訪問，從內(nèi)部測試恰好解決此問題。對測試時(shí)所檢測到的故障模型盡可能大面積覆蓋，提高良品率促進(jìn)工業(yè)生產(chǎn)。所以，有效的故障模型，有效的測試算法及其實(shí)現(xiàn)是嵌入式存儲器內(nèi)建自測試設(shè)計(jì)的關(guān)鍵所在。
　　本篇論文主要針對時(shí)下內(nèi)建自測試BIST和相關(guān)算法優(yōu)化的研究。本文首先介紹目前測試技術(shù)的發(fā)展，然后對靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM、故障類型進(jìn)行詳細(xì)說明，隨后詳述了MBIST工作流程。最后重點(diǎn)闡述了March算法

3、及其變種，詳細(xì)分析解讀了相關(guān)故障模型的原因和解決途徑。在目前常用算法March C-的基礎(chǔ)上提出自己的新算法March C-D，對March C-無法覆蓋的偽讀破壞故障DRDF進(jìn)行了良好的覆蓋，并詳細(xì)分析此算法針對相關(guān)故障進(jìn)行測試工作的過程，得到理論上的驗(yàn)證。
　　最后基于Modelsim平臺進(jìn)行仿真驗(yàn)證March C-D算法的正確性和可行性。此改進(jìn)算法有更高的覆蓋率，并降低MarchC算法檢測故障時(shí)的重復(fù)率。對進(jìn)一步提高芯片的檢