2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、靜電放電（ElectroStatic Discharge, ESD）在集成電路產(chǎn)業(yè)的電路失效中占有較大的比重，本文重點(diǎn)討論了集成電路片上ESD防護(hù)器件設(shè)計(jì)與分析。
　　首先，本文對(duì)ESD現(xiàn)象進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹，分析了ESD的一些基本理論，其中詳細(xì)討論了ESD失效理論、ESD模型理論、ESD測(cè)試?yán)碚撘约癊SD防護(hù)理論，為集成電路片上ESD防護(hù)器件的設(shè)計(jì)提供理論基礎(chǔ)。
　　接著，本文討論了兩種常用的ESD防護(hù)器件。作者首先分析了二極

2、管的防護(hù)原理，對(duì)它的防護(hù)特性進(jìn)行了模擬仿真，并簡(jiǎn)單討論了它的版圖設(shè)計(jì)方法。隨后，作者又分析了柵接地NMOS（Gate Grounded NMOS, GGNMOS）的防護(hù)原理，通過(guò)模擬仿真分析了其防護(hù)特性。此外，還討論了幾個(gè)影響GGNMOS防護(hù)性能的參數(shù)及其版圖設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
　　最后，本文討論了可控硅（Silicon Controlled Rectifier, SCR）器件的防護(hù)設(shè)計(jì)，介紹了幾種提高SCR器件防護(hù)性能的設(shè)計(jì)方法。此外，

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