基于非對(duì)稱基區(qū)晶體管壓力傳感器溫度補(bǔ)償集成化研究.pdf

1、本文基于雙極工藝和MEMS技術(shù)在SOI片（器件層為n型<100>晶向高阻硅）上設(shè)計(jì)、制作非對(duì)稱基區(qū)晶體管溫度補(bǔ)償壓力傳感器，壓敏結(jié)構(gòu)由C型硅杯和方形硅膜上四個(gè)p型擴(kuò)散壓敏電阻構(gòu)成的惠斯通電橋組成，溫度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)由非對(duì)稱基區(qū)晶體管構(gòu)成。當(dāng)施加壓力P時(shí)，方形硅膜發(fā)生彈性形變，壓敏電阻阻值改變導(dǎo)致惠斯通電橋輸出電壓發(fā)生變化，理論分析給出，壓敏結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)外加壓力P的測(cè)量。利用PN結(jié)導(dǎo)通電壓溫度系數(shù)為負(fù)，采用非對(duì)稱基區(qū)晶體管結(jié)構(gòu)對(duì)壓力傳感器靈敏度負(fù)

2、溫度系數(shù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償，通過改變基區(qū)電阻的比例，實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償優(yōu)化?；贏NSYS軟件構(gòu)建壓力傳感器結(jié)構(gòu)仿真模型，研究硅膜形狀、尺寸對(duì)傳感器特性影響，并結(jié)合MATLAB計(jì)算方形硅膜上電阻的位置分布，進(jìn)行具有溫度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)壓力傳感器優(yōu)化設(shè)計(jì)。
　　本文采用L-Edit軟件實(shí)現(xiàn)芯片版圖設(shè)計(jì)，并在SOI片上實(shí)現(xiàn)具有溫度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)壓力傳感器芯片制作和封裝，通過采用全自動(dòng)壓力變送器測(cè)試系統(tǒng)(AmericanMensor CPC6000)、高低溫實(shí)驗(yàn)箱(

3、OBIS GDJS-100LG-G)和壓力測(cè)試盤等搭建的測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)非對(duì)稱基區(qū)晶體管溫度補(bǔ)償壓力傳感器進(jìn)行特性研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出，在室溫條件下，供電電壓5.0 V，壓力傳感器靈敏度為0.227 mV/kPa;溫度范圍為-40℃到100℃變化時(shí)，該壓力傳感器的靈敏度溫度漂移為-1862 ppm/℃，補(bǔ)償后靈敏度溫度漂移為-1067 ppm/℃;對(duì)非對(duì)稱基區(qū)晶體管進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，最終補(bǔ)償后靈敏度溫度漂移為-127 ppm/℃。研究結(jié)果表明，本