基于標準CMOS工藝的非易失存儲器IP核的研究與設計.pdf

1、射頻識別技術（Radio Frequency Identification，RFID）是運用射頻信號和空間耦合的傳輸特征，自動辨別被識別的物體，具有讀寫距離遠、速度快、非視距讀取、抗干擾能力強等特點，在軍事和國民生活中得到了廣泛應用，是物聯(lián)網的核心與基礎技術。
　　電子標簽芯片作為射頻識別系統(tǒng)的核心設備，非易失存儲器(Nonvolatile Memory，NVM）IP核是其重要組成部分。由于電子標簽的無源工作模式以及大規(guī)模應用的需

2、求，非易失存儲器要求具有超低功耗（微瓦級）、低成本的特點。國內的電子標簽芯片廠商大都采用國外/境外公司提供的基于國外/境外工藝線上的非易失存儲器IP核進行超高頻電子標簽芯片的設計，這些IP核價格昂貴，而且在設計和生產中存在很大的不可控性，受制于人。而國外的電子標簽芯片主流廠商都有自己開發(fā)的非易失性存儲器IP核，在成本與功耗上都有著很大的優(yōu)勢。
　　本文首先論述了基于標準CMOS工藝非易失存儲器的研究背景和研究意義，介紹了國際上在基

3、于標準CMOS工藝非易失存儲器方面的民用研究進展，討論了國內民用研究近狀與面臨的挑戰(zhàn)。
　　然后，分析了其讀寫功耗、工作溫度、可擦寫次數等參數上的要求，設計了存儲器指標。對基于標準CMOS工藝非易失存儲器體系架構進行了研究和設計：針對電子標簽芯片的應用，列出了其架構組成與功能管腳定義。
　　本文主要設計了存儲器外圍電路，其中主要設計了電壓切換模塊、控制電路，靈敏放大器，電荷泵等其他電路進行分析與部分設計。仿真結果表明所設計的