介質(zhì)材料電磁參數(shù)測(cè)試方法及相關(guān)應(yīng)用研究.pdf

1、本論文研究介質(zhì)材料電磁參數(shù)測(cè)試方法以及相關(guān)DRO設(shè)計(jì)，主要工作包括三個(gè)方面：介質(zhì)材料介電常數(shù)測(cè)試方法研究及軟件實(shí)現(xiàn)、薄膜材料電磁參數(shù)測(cè)試方法研究、C波段介質(zhì)振蕩器研制。
　　 在介質(zhì)材料介電常數(shù)測(cè)試方法研究及軟件實(shí)現(xiàn)中，首先，介紹了傳輸法，使用matlab編程軟件對(duì)傳輸法進(jìn)行了驗(yàn)證，對(duì)影響誤差的因素進(jìn)行了分析，提出了測(cè)試準(zhǔn)則。然后,對(duì)測(cè)試樣品所在的矩形波導(dǎo)截止頻率、諧振頻率、尺寸和材料介電常數(shù)、尺寸、位置與傳輸系數(shù)、反射系數(shù)之間

2、的關(guān)系進(jìn)行研究，使用Newton-Gauss迭代法求解所涉及的一系列方程組，在VC++平臺(tái)上編寫出低損耗材料介電常數(shù)測(cè)試的軟件，從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)完整的測(cè)試工具。該測(cè)試工具可對(duì)低損耗材料的介電常數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確、迅速、寬頻帶檢測(cè)，具有較強(qiáng)實(shí)用性。
　　 在薄膜材料電磁參數(shù)測(cè)試方法研究中，首先，使用HFSS、IE3D研究發(fā)現(xiàn)，薄膜材料的電磁參數(shù)與雙層基板微帶線測(cè)量裝置及共面波導(dǎo)測(cè)量裝置傳輸系數(shù)的相位變化有很好的關(guān)系。同時(shí)，共面波導(dǎo)測(cè)量裝置傳

3、輸系數(shù)的相位對(duì)薄膜材料的電磁參數(shù)更敏感。然后，提出了使用共面波導(dǎo)裝置測(cè)量薄膜材料介電常數(shù)或磁導(dǎo)率的方法，即通過比較仿真結(jié)果與實(shí)測(cè)結(jié)果，來確定薄膜材料的介電常數(shù)或磁導(dǎo)率。該測(cè)量裝置及方法避免了復(fù)雜的計(jì)算，可靠易操作。
　　 在C波段介質(zhì)振蕩器研制方面，采用CST軟件建立DR與微帶線的耦合模型，將仿真結(jié)果的S參數(shù)文件導(dǎo)入Microwave Office軟件進(jìn)行仿真優(yōu)化。并使用AutoCAD軟件設(shè)計(jì)屏蔽盒以及Protel軟件制版。制版