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文檔簡(jiǎn)介
1、本文利用密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)方法對(duì)富勒烯和石墨烯納米帶兩種低維碳基納米材料的電子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)性質(zhì)進(jìn)行了理論計(jì)算。
首先,研究了硼氮摻雜對(duì)富勒烯C82分子器件輸運(yùn)性質(zhì)的影響。研究發(fā)現(xiàn),取代摻雜可以增強(qiáng)C82分子器件的電子輸運(yùn)能力,并發(fā)現(xiàn)了負(fù)微分電阻現(xiàn)象。經(jīng)分析,我們認(rèn)為偏壓的改變會(huì)引起電子波函數(shù)的分布變化,使分子與電極之間耦合發(fā)生非線(xiàn)性改變,從而導(dǎo)致負(fù)微分電阻現(xiàn)象出現(xiàn)。
接著,本文研究了邊緣氫化對(duì)AB堆垛
2、的雙層石墨烯納米帶輸運(yùn)性質(zhì)的影響。研究發(fā)現(xiàn),雙層石墨烯納米帶的輸運(yùn)性質(zhì)強(qiáng)依賴(lài)于氫化的位置。特別是,與電極相連的石墨烯納米帶邊緣的雙氫飽和,強(qiáng)烈的影響體系的輸運(yùn)性質(zhì)。
最后,研究了多空位缺陷對(duì)AB堆垛的雙層石墨烯納米帶電子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)性質(zhì)的影響??瘴蝗毕莸囊雽?dǎo)致了體系能隙的改變,缺陷在中央時(shí)能隙略有減小,而在邊緣時(shí)能隙明顯增大。并且,石墨烯納米帶中央缺陷的引入對(duì)輸運(yùn)性質(zhì)的影響不大,而邊緣處空位缺陷的引入使電流明顯增強(qiáng)。理論研
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