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文檔簡介
1、GaN工藝HEMT器件具有高的效率和功率密度、以及高線性等特點,在毫米波收發(fā)系統(tǒng)中有廣泛應(yīng)用。器件模型是工藝、器件與電路設(shè)計之間的橋梁,GaN HEMT器件大信號模型和建模技術(shù)長期處于匱乏狀態(tài),難以滿足實際應(yīng)用需求。
論文對GaN HEMT器件大信號模型及模型參數(shù)提取方法進(jìn)行研究。從器件行為分析的角度,著重就小信號模型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和解析提取算法進(jìn)行了推導(dǎo),該工作作為大信號模型參數(shù)提取的基礎(chǔ)。對大信號模型的提取,采用Angelov
2、GaN模型,建立了商用GaN工藝線GaN HEMT器件大信號模型,總結(jié)出了該模型的參數(shù)提取流程。
基于Angelov GaN模型,本文采用兩個Angelov GaN模型并聯(lián)的模式,建立了一套InP HEMT大信號模型,該方法解決了InP HEMT器件強(qiáng)的Kink效應(yīng)下、傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ HEMT/FET模型無法表征的問題。
論文的主要研究工作如下:
1)對GaN HEMT的器件結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理進(jìn)行了研究,對商用Ga
3、N工藝線HEMT器件行為進(jìn)行了分析,為建立GaN HEMT模型建立了數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。
2)建立GaN HEMT的小信號模型等效電路模型,推導(dǎo)了模型參數(shù)提取的解析提取方法,根據(jù)測試得到的晶體管小信號特性提取模型參數(shù)。在0.1-20.1GHz頻率范圍內(nèi),模型仿真和測量所得S參數(shù)有很好吻合。
3)在對Curtice、Statz、Angelov、EEFET/EEHEMT等模型討論基礎(chǔ)上,采用Angelov GaN對目標(biāo)器件進(jìn)行建模
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