關(guān)于兩能隙超導(dǎo)體NbSe2和TlNi2Se2電磁性質(zhì)的理論研究.pdf_第1頁(yè)
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1、2001年，日本科學(xué)家發(fā)現(xiàn)二元化合物材料MgB2具有超導(dǎo)電性，且臨界溫度高達(dá)39 K，之后，經(jīng)過(guò)比熱測(cè)量、電子隧道譜以及角分辨光電子譜等實(shí)驗(yàn)皆證實(shí)了MgB2具有兩個(gè)超導(dǎo)能隙。這一發(fā)現(xiàn)掀起了對(duì)兩帶簡(jiǎn)單層狀化合物超導(dǎo)體研究的熱潮，兩能隙超導(dǎo)電性和兩帶超導(dǎo)理論模型也逐漸被人們所熟知。本文中，根據(jù)兩帶Ginzburg-Landau(GL)理論，我們研究了多能隙超導(dǎo)材料NbSe2和TlNi2Se2的上臨界磁場(chǎng)與溫度的變化關(guān)系，并簡(jiǎn)單介紹了TlNi

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