有機(jī)半導(dǎo)體MOS器件性質(zhì)與模型的研究.pdf

1、近幾十年來，有機(jī)電子器件依其制備工藝簡單、造價低廉、有望實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)、可與柔性襯底兼容等優(yōu)點(diǎn)，極大的豐富了人們的視野，引起了產(chǎn)業(yè)界人士和科學(xué)家的高度關(guān)注，但有機(jī)半導(dǎo)體物理性質(zhì)不論在理論上還是在實(shí)驗(yàn)上都面臨著新的挑戰(zhàn)，因此有機(jī)半導(dǎo)體性質(zhì)研究是一份十分必要的工作，它有利于推動有機(jī)電子器件的快速發(fā)展。本論文通過對有機(jī)半導(dǎo)體MOS(MOOS)原理的研究，建立了有機(jī)MOSC-V數(shù)學(xué)模型，并利用CuPc、VOPc、C60三種有機(jī)半導(dǎo)體材料，采用真

2、空蒸鍍的方法，通過優(yōu)化成膜時襯底溫度、沉積速率等條件，制備出了性能優(yōu)異的單層有機(jī)半導(dǎo)體MOS和雙層異質(zhì)結(jié)有機(jī)半導(dǎo)體MOS器件。利用C-V結(jié)電容法，提取了制備的MOS器件的絕緣層厚度、最大耗盡層寬度、摻雜濃度、界面陷阱密度、界面態(tài)密度等參數(shù)，發(fā)現(xiàn)滯后效應(yīng)、摻雜濃度受頻率的影響很小，但高頻對C-V曲線的影響非常明顯。最后利用所提取的參數(shù)和理論模型模擬了有機(jī)MOS器件的C-V特性曲線，模擬曲線與實(shí)測曲線誤差較小，證明了提取的參數(shù)和模型的準(zhǔn)確性