單層MoS2半導(dǎo)體材料的光電性質(zhì)研究.pdf

1、二維過渡金屬硫化物二硫化鉬(MoS2)是一種低維度寬帶隙的半導(dǎo)體材料。單層的MoS2具有直接帶隙(1.8ev)結(jié)構(gòu)，適于構(gòu)筑具有低靜態(tài)功耗，高開關(guān)比特點的場效應(yīng)晶體管。
　　本論文采用“自上而下”的微機械剝離法制備單層或幾層的類石墨烯二硫化鉬納米片，并對目標(biāo)樣品進行了拉曼光譜表征。利用光刻微加工、熱蒸發(fā)鍍膜等工藝，構(gòu)筑了基于單層或多層MoS2納米片的“金/MoS2納米片/金”結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。利用2602源測系統(tǒng)結(jié)合LabVIEW

2、編程語言實現(xiàn)了對MoS2薄膜器件在不同條件下的電輸運性能的測試。取得的主要進展如下:
　　1.通過微機械剝離法，成功剝離出單層MoS2樣品。運用光刻微加工技術(shù)，成功構(gòu)筑基于單層MoS2的半導(dǎo)體光電器件。
　　2.用不同波長的激光照射MoS2納米薄膜器件，發(fā)現(xiàn)MoS2具有優(yōu)異的光敏特性。在藍紫光照射下電流變化最大，綠光次之，紅光最小，而且導(dǎo)電能力都瞬間增加了4個數(shù)量級。
　　3.構(gòu)筑了基于單層MoS2場效應(yīng)晶體管，并研究