ABS塑料鍍鋁表面高功率脈沖射頻磁控濺射沉積SiO2薄膜研究.pdf

1、為了提高ABS塑料鍍鋁表面的抗腐蝕性，本文用微波電子回旋共振(MW-ECR)系統(tǒng)，采用低功率連續(xù)射頻磁控濺射技術(shù)和高功率脈沖射頻磁控濺射技術(shù)，以Si為靶材，氬氣和氧氣為工作氣體，在ABS塑料鍍鋁表面制備SiO2薄膜。
　　實驗中我們用熱電偶監(jiān)測塑料表面鍍膜時的臨界溫度，避免塑料樣品過熱變形;用PH為3.1-3.3的酸性NaCl·CuCl2溶液對兩種方法制備的SiO2薄膜進行腐蝕測試，對比薄膜的抗腐蝕性差異;用朗繆爾單探針系統(tǒng)測量薄

2、膜制備時的等離子體參數(shù)，研究等離子體參數(shù)對SiO2薄膜抗腐蝕性的影響。實驗結(jié)果表明:
　　在ABS塑料表面采用磁控濺射技術(shù)鍍膜溫度不能超過70℃，否則樣品會過熱變形。
　　連續(xù)射頻100W制備的薄膜抗腐蝕時間不超過80 min，而脈沖射頻400 W和500 W制備的薄膜抗腐蝕時間長達到4個小時。這說明脈沖射頻磁控濺射制備的SiO2薄膜抗腐蝕性更好。
　　采用朗繆爾單探針系統(tǒng)診斷兩種放電模式的等離子參數(shù)，我們發(fā)現(xiàn)連續(xù)射頻

3、磁控濺射放電功率100 W時等離子體密度為1.25×109 cm-3，高功率脈沖射頻磁控濺射放電功率分別為200 W、300 W、400 W和500 W時的等離子體密度是連續(xù)射頻磁控濺射放電時的1.5～7倍;連續(xù)射頻放電功率100 W時的電子溫度接近3 eV，脈沖射頻放電的平均電子溫度分別為10.62 eV、10.46 eV、10.18 eV、9.87 eV，兩者相差約3倍;連續(xù)射頻磁控濺射功率100 W時等離子體的空間電位是11V，而