2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、作為一種新穎的射頻MEMS器件,薄膜體聲波諧振器(FBAR)近年來(lái)在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域取得了巨大的商業(yè)成功。與此同時(shí),F(xiàn)BAR在微質(zhì)量生物傳感領(lǐng)域的應(yīng)用,正成為下一個(gè)研究熱點(diǎn)。與傳統(tǒng)的質(zhì)量傳感器--石英晶體微天平(QCM)相比,F(xiàn)BAR具有諧振頻率高、質(zhì)量靈敏度高、體積小、可集成等優(yōu)點(diǎn)。
   本論文主要從FBAR傳感器的四個(gè)方面進(jìn)行了研究:對(duì)雙模式FBAR的理論分析與建模、壓電薄膜AIN的制備、FBAR原型器件的制備與測(cè)試以及FBA

2、R在質(zhì)量傳感器上的應(yīng)用模型,主要取得了以下成果:
   1.研究了基于c軸傾斜取向壓電薄膜的厚度場(chǎng)激勵(lì)雙模式FBAR的諧振機(jī)理和振動(dòng)模式,并建立了雙模式復(fù)合FBAR的電學(xué)阻抗解析表達(dá)式,提出了雙模式復(fù)合FBAR的改進(jìn)型Mason等效電路模型。研究結(jié)果表明:AIN壓電薄膜的壓電參數(shù)、機(jī)電耦合系數(shù)、體聲波速以及振動(dòng)模式等隨晶體的c軸傾斜角度θ增大呈周期性變化,理想FBAR中存在為縱波和剪切波雙模式,當(dāng)θ=0°或66.5°時(shí),理想FB

3、AR中僅存在縱波模式;當(dāng)c軸傾斜角度θ=47.6°或90°時(shí),理想FBAR中僅存在剪切波模式;當(dāng)θ為0°、34.4°時(shí),可分別獲得最大的縱波機(jī)電耦合系數(shù)和剪切波機(jī)電耦合系數(shù)。
   2.在反應(yīng)濺射模型基礎(chǔ)上,深入研究了擇優(yōu)取向AIN壓電薄膜的制備技術(shù),優(yōu)化了工藝方法,實(shí)現(xiàn)了高速沉積擇優(yōu)取向AIN薄膜。通過(guò)理論分析和實(shí)驗(yàn)研究表明,增大系統(tǒng)抽速、采用磁控濺射技術(shù)減小靶面有效濺射面積等可以減弱以至消除反應(yīng)濺射系統(tǒng)中的遲滯效應(yīng);N2濃度

4、過(guò)高或過(guò)低時(shí)都不利于AIN擇優(yōu)取向生長(zhǎng),當(dāng)N2濃度為25%時(shí)最有利于AIN薄膜的擇優(yōu)取向生長(zhǎng)。論文提出并實(shí)現(xiàn)了消除反應(yīng)濺射過(guò)程中的遲滯現(xiàn)象、將靶穩(wěn)定控制在金屬態(tài)與中毒態(tài)之間的過(guò)渡態(tài)、并實(shí)現(xiàn)快速沉積擇優(yōu)取向AIN薄膜的優(yōu)化工藝方法。該方法在優(yōu)化的工藝條件下,AIN(002)衍射峰半高寬為0.28°,薄膜沉積速率為2.1μm/h。同時(shí)實(shí)現(xiàn)了c軸傾斜取向生長(zhǎng)AIN薄膜,傾斜角度為22°,成膜速率為1.85μm/h。這一成果已被SCI收錄,具有

5、重要應(yīng)用價(jià)值。
   3.提出并制備了Al/W全金屬膜系布拉格反射層結(jié)構(gòu),這種新穎的膜系申請(qǐng)了二項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利。使用探針臺(tái)和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得基于5層Al/W反射層的固態(tài)裝備型FBAR諧振頻率為2.25GHz,Q值為170,此結(jié)構(gòu)具有金屬薄膜之間結(jié)合力好、熱應(yīng)力小、器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、熱容量大、沉積速率快等優(yōu)點(diǎn)。此外,還制備了基于SiO2/W布拉格反射層的固態(tài)裝備型FBAR。
   4.制備出了硅反面刻蝕結(jié)構(gòu)的FBAR原型器件

6、,包括厚度場(chǎng)激勵(lì)的縱波模式FBAR和側(cè)向場(chǎng)激勵(lì)的剪切模式FBAR。使用探針臺(tái)和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得縱波模式FBAR的諧振頻率為1.03GHz,Q值達(dá)到1350;剪切模式FBAR的諧振頻率為1.4GHz,Q值為370。
   5探討了雙模式FBAR微質(zhì)量傳感器,建立了這種微質(zhì)量傳感器模型,理論研究表明:對(duì)于均勻質(zhì)量負(fù)載、在壓電薄膜的不同c軸傾斜角度下、縱波和剪切模式FBAR的質(zhì)量靈敏度SL(θ)、SS(θ)分別為-1403cm2/g

7、~-1366cm2/g、-1344cm2/g~-1309cm2/g;對(duì)于相同的質(zhì)量負(fù)載,不同c軸傾斜角度的FBAR傳感器的質(zhì)量靈敏度與FBAR的機(jī)電耦合系數(shù)有關(guān)。建立了雙模式FBAR質(zhì)量傳感器的有限元模型,利用ANSYS軟件分別仿真分析了質(zhì)量負(fù)載的沉積位置改變時(shí)縱波和剪切模式FBAR傳感器的諧振特性,結(jié)果表明:當(dāng)質(zhì)量塊位于FBAR的中心位置時(shí),傳感器的質(zhì)量響應(yīng)度最大,縱波和剪切FBAR傳感器的質(zhì)量響應(yīng)度分別為-8150kHz/ng、-7

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