F等離子體處理增強(qiáng)型AlGaN-GaN HEMT的可靠性研究.pdf

1、本文重點(diǎn)研究了藍(lán)寶石襯底上的F等離子體處理增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT的可靠性。首先，采用分步光刻的方法在同一圓片上成功制備不同F(xiàn)等離子體處理?xiàng)l件的增強(qiáng)型和耗盡型 AlGaN/GaN HEMT器件，對(duì)器件的初始特性進(jìn)行了測(cè)量，其中F等離子體處理?xiàng)l件(120W,130s)的增強(qiáng)型器件的閾值電壓達(dá)到0.75V，最大電流為661mA/mm，最大跨導(dǎo)為280mS/mm，器件特性良好。其次，對(duì)比研究了增強(qiáng)型和耗盡型AlGaN/GaN HEM

2、T器件的電流崩塌現(xiàn)象，結(jié)合器件的C-V特性，得出F等離子體處理在器件中引入新的快態(tài)陷阱的結(jié)論。然后重點(diǎn)對(duì)比研究了幾種典型電壓應(yīng)力對(duì)增強(qiáng)型和耗盡型AlGaN/GaN HEMT器件的特性影響。研究表明：F等離子體處理在器件中引入類(lèi)似深能級(jí)受主的雜質(zhì)，且器件中F離子不穩(wěn)定，在長(zhǎng)時(shí)間電壓應(yīng)力的影響下，增強(qiáng)型器件出現(xiàn)閾值電壓負(fù)漂，柵極漏電快速增加，飽和電流增大等現(xiàn)象。最后，對(duì)比研究了溫度對(duì)增強(qiáng)型和耗盡型 AlGaN/GaN HEMT器件特性的影響