參數(shù)對(duì)憶阻器的特性影響分析.pdf

1、隨著科學(xué)技術(shù)的迅猛發(fā)展，電子信息技術(shù)的更新?lián)Q代也變的越來越快。人們追求更高的集成度，更快的速度，更大的存貯空間，正是這些需求大大促進(jìn)了電子信息技術(shù)的向前發(fā)展。在電子信息技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)下，過去7年間納米級(jí)別的憶阻器的成功研制隨即在科學(xué)界掀起了一股研究熱潮。過去幾年間，無數(shù)的科研工作者投身其中，關(guān)于憶阻器的理論研究層出不窮，關(guān)于憶阻器的電子產(chǎn)品也在緊張的開發(fā)中。目前關(guān)于憶阻器的理論研究大部分主要集中在憶阻器的應(yīng)用上，比如:基于憶阻器的濾波器

2、、基于憶阻器的控制器、基于憶阻器的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等等。這些已經(jīng)取得的成績(jī)將為未來憶阻器的發(fā)展打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。目前，從學(xué)術(shù)界對(duì)憶阻器研究成果來看，關(guān)于憶阻器的一些內(nèi)部參數(shù)諸如:長(zhǎng)度、橫截面積、參雜度等對(duì)憶阻器的性能影響研究相對(duì)較少。而外界參數(shù)諸如:電壓幅值、電壓頻率等對(duì)憶阻器的性能影響研究也相對(duì)較少，這無疑大大限制了憶阻器的發(fā)展和憶阻器產(chǎn)品的問世。正是基于此，本文研究了一些憶阻器的典型參數(shù)以及外界參數(shù)對(duì)憶阻器的特性影響分析。
　　本文主要

3、詳盡介紹了目前學(xué)術(shù)界應(yīng)用最為廣泛的兩種憶阻器模型，即惠普憶阻器模型和自旋憶阻器模型，建立了其各自對(duì)應(yīng)的Simulink模型，并通過仿真得到了相關(guān)特性曲線。在介紹惠普憶阻器模型的時(shí)候，本文也討論了常見的兩種窗函數(shù)和一種簡(jiǎn)易窗函數(shù)對(duì)惠普憶阻器的特性影響分析。隨后本文從電壓幅值和電壓頻率的角度出發(fā)，研究了外圍激勵(lì)即電壓幅值和電壓頻率對(duì)這兩種憶阻器特性的影響分析，通過仿真的結(jié)果可以看到，無論是電壓的幅值還是頻率都會(huì)對(duì)憶阻器的特性產(chǎn)生一定的影響，

4、通過對(duì)這些結(jié)果的展示和分析，本文給出了相關(guān)的結(jié)論。接下來本文從這兩種憶阻器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)參數(shù)著手，因?yàn)閼涀杵髯詥柺酪詠?，一直都在?qiáng)調(diào)其尺寸體積等優(yōu)勢(shì)，因而本文重點(diǎn)分析了長(zhǎng)度參數(shù)對(duì)惠普憶阻器和自旋憶阻器的特性影響，通過研究分析和仿真結(jié)果的展示，長(zhǎng)度參數(shù)確實(shí)對(duì)憶阻器的特性有較大程度的影響，綜合比較這些結(jié)果之后，本文給出了詳細(xì)的結(jié)果分析說明，得出了有關(guān)結(jié)論。最后，本文從橫截面積參數(shù)的角度出發(fā)，研究了橫截面積參數(shù)對(duì)惠普憶阻器和自旋憶阻器的特性影響，