OLED銦封裝技術的研究.pdf

1、近十年來OLED技術在全球范圍內發(fā)展很迅猛。OLED器件具有：自主發(fā)光、超輕、超薄、發(fā)光效率高、響應速度塊、耗能低以及能用于柔性顯示等優(yōu)點，是一種非常理想的照明材料，同時在顯示器件領域被譽為下一代顯示器件之星?，F階段OLED器件存在著良品率不高，器件使用壽命短等致命缺點，嚴重的阻礙了OLED器件的商業(yè)化進程，如何提高器件的壽命一直是國內外研究的熱點問題。由于發(fā)光材料會由于微量水蒸氣和氧氣的存在而性能下降或失效，如果水蒸氣和氧氣對封裝材料

2、或封裝結構的滲透率大，會嚴重的縮短器件的壽命，所以提升OLED器件壽命最有效的方法之一是對器件進行對水蒸氣和氧氣的高阻隔性封裝。
　　本文首先介紹了OLED器件的發(fā)展進程，分析了OLED器件相對于其他顯示器件的優(yōu)點和不足，總結出提高OLED器件的使用壽命對加快器件商業(yè)化進程具有十分重要的意義。
　　詳細闡述了OLED器件的結構和發(fā)光原理，分析了OLED器件的失效機理和主要外界因素，然后對目前用于OLED器件封裝的各種方法進行

3、了研究，分析了各封裝方法與工藝的優(yōu)缺點，選擇熱熔銦封接方法作為研究方向，并著重介紹了已有的熱熔銦封裝方法，發(fā)現了熱熔銦封裝工藝在封裝OLED器件時分析了這些方法的優(yōu)點和不足，提出了用激光局部加熱完成OLED器件封裝的新方法，以及激光銦封接要解決的關鍵問題。
　　針對激光銦封接OLED器件的關鍵問題，論文在第四章中首先設計了激光加熱銦封接OLED器件的結構，提出玻璃/SiO2/Cr/Ag-Cu結構作為OLED銦封接中的絕緣層和金屬過

4、渡層，根據設計的結構，采用磁控濺射技術鍍制了SiO2絕緣層和金屬過渡層，制備了用于銦封裝的器件基板和蓋板，隨后對比銦熔點更低的In-Sn合金的成分配比與合金熔點的關系進行了研究，將In:Sn=1:1配比的In-Sn合金作為封接層材料用于激光局部加熱銦封裝OLED器件，并成功將In-Sn合金涂鍍在Ag-Cu合金金屬過渡層上。設計并制作了用于OLED銦封裝局部加熱的三維數控激光加熱裝置，并對裝置在銦封接試驗中的相關參數進行了研究，解決了如何