基于納米壓印技術(shù)的高線密度光柵研究.pdf

1、高線密度光柵在等離子體診斷、X射線光譜學(xué)、天體物理學(xué)研究等方面具有重要的應(yīng)用前景，基于納米壓印技術(shù)可低成本批量生產(chǎn)線寬在數(shù)十納米到百納米的結(jié)構(gòu)。本論文主要對(duì)金自支撐透射光柵開展相關(guān)的理論與實(shí)驗(yàn)研究。
　　采用嚴(yán)格耦合波理論模擬計(jì)算了光柵槽深、占空比、光柵有效面積比對(duì)光柵一級(jí)衍射效率的影響。模擬計(jì)算結(jié)果表明，當(dāng)槽深為100nm、占空比為0.5、光柵有效面積比為1時(shí)，在波長(zhǎng)9.2nm處光柵的一級(jí)衍射效率達(dá)到最大，約為22%。
　

2、　采用紫外納米壓印技術(shù)、雙層膠工藝和等離子體刻蝕工藝制備高分子光柵，研究刻蝕氣體和刻蝕時(shí)間對(duì)雙層膠結(jié)構(gòu)的影響。搭建了微電鍍裝置，討論了電鍍過程中脈沖波形的占空比和脈沖電流對(duì)電鍍金層質(zhì)量的影響。結(jié)果表明，較小的脈沖波形占空比和脈沖電流有利于提高金層的致密性和光亮度。采用紫外光刻和微電鍍技術(shù)制備光柵的支撐結(jié)構(gòu)，研究了顯影時(shí)間等光刻工藝參數(shù)對(duì)支撐結(jié)構(gòu)形貌的影響。最后，制備了面積為10mm×10mm的金自支撐透射光柵，光柵有效面積比為0.5，占