整片晶圓納米壓印關(guān)鍵技術(shù)的研究.pdf

1、整片晶圓納米壓印是一種大面積納米壓印圖形化方法，在發(fā)光二極管、晶圓級光學器件、太陽能電池板具有廣泛的應用。針對LED納米圖形化面臨的問題，整片晶圓納米壓印的研究是非常重要的。但是目前整片晶圓納米壓印在脫模和模板制作等關(guān)鍵技術(shù)上存在問題，亟待解決。本項目針對脫模和模板制作這兩個核心問題進行初步的研究。
　　由于傳統(tǒng)的脫模方式產(chǎn)生的脫模力較大，本文采用揭開式脫模的方式。首先對脫模過程進行理論分析，在脫模過程中涉及到固-固界面的相互作用

2、，存在粘附力。因此，應用接觸力學理論分析了幾種接觸理論以及接觸理論模型。另外脫模過程中將導致模具產(chǎn)生缺陷，因此應用斷裂力學對脫模過程中的應力和應變進行分析，為脫模過程的數(shù)值模擬奠定理論基礎(chǔ)。
　　其次對脫模過程進行數(shù)值模擬時，本文采用揭開式脫模的幾何模型。用ABAQUS有限元軟件對揭開式脫模進行數(shù)值模擬，分別對不同位移載荷、深寬比、圖形層周期長度、材料、角度進行數(shù)值模擬，得到一定的結(jié)論。
　　傳統(tǒng)的模具結(jié)構(gòu)無法滿足LED納米