整片晶圓納米壓印關(guān)鍵技術(shù)的研究.pdf

1、整片晶圓納米壓印是一種大面積納米壓印圖形化方法，在發(fā)光二極管、晶圓級(jí)光學(xué)器件、太陽(yáng)能電池板具有廣泛的應(yīng)用。針對(duì)LED納米圖形化面臨的問(wèn)題，整片晶圓納米壓印的研究是非常重要的。但是目前整片晶圓納米壓印在脫模和模板制作等關(guān)鍵技術(shù)上存在問(wèn)題，亟待解決。本項(xiàng)目針對(duì)脫模和模板制作這兩個(gè)核心問(wèn)題進(jìn)行初步的研究。
　　由于傳統(tǒng)的脫模方式產(chǎn)生的脫模力較大，本文采用揭開式脫模的方式。首先對(duì)脫模過(guò)程進(jìn)行理論分析，在脫模過(guò)程中涉及到固-固界面的相互作用

2、，存在粘附力。因此，應(yīng)用接觸力學(xué)理論分析了幾種接觸理論以及接觸理論模型。另外脫模過(guò)程中將導(dǎo)致模具產(chǎn)生缺陷，因此應(yīng)用斷裂力學(xué)對(duì)脫模過(guò)程中的應(yīng)力和應(yīng)變進(jìn)行分析，為脫模過(guò)程的數(shù)值模擬奠定理論基礎(chǔ)。
　　其次對(duì)脫模過(guò)程進(jìn)行數(shù)值模擬時(shí)，本文采用揭開式脫模的幾何模型。用ABAQUS有限元軟件對(duì)揭開式脫模進(jìn)行數(shù)值模擬，分別對(duì)不同位移載荷、深寬比、圖形層周期長(zhǎng)度、材料、角度進(jìn)行數(shù)值模擬，得到一定的結(jié)論。
　　傳統(tǒng)的模具結(jié)構(gòu)無(wú)法滿足LED納米