NIP型硅薄膜電池Al-ZnO復(fù)合背反射電極的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在NIP硅基薄膜太陽電池中，Al/ZnO復(fù)合背反射電極的應(yīng)用能極大改變電池的性能，特別是其形貌可以復(fù)制給電池，從而在電池中形成良好的陷光結(jié)構(gòu)，增加光在電池中的光程，提高電池對光的有效吸收，使轉(zhuǎn)換效率得到提高。
　　 本文采用磁控濺射方法制備Al/ZnO復(fù)合背反射電極，研究了濺射工藝條件對Al薄膜特性的影響，發(fā)現(xiàn)在襯底溫度較高、功率和濺射氣壓適當、厚度達到780nm的時候，所沉積的Al膜表面粗糙度較大，對光的散射增加，但同時薄膜的

2、表面缺陷增多，反射率也會隨之降低。同時發(fā)現(xiàn)Al 薄膜沉積時引入的雜質(zhì)會對薄膜晶粒生長產(chǎn)生抑制作用，造成薄膜表面粗糙度降低，隨著襯底溫度升高，雜質(zhì)更容易引入薄膜。為此，采用雙層Al薄膜結(jié)構(gòu)，在RMS值降低不太多的情況下，使650nm處的反射率從65[％]升高到了82[％]。
　　 在Al/ZnO復(fù)合背反射電極中，Al的反射率決定了Al/ZnO復(fù)合背反射電極的反射率。隨ZnO厚度的增加，Al/ZnO復(fù)合薄膜干涉效果增加。經(jīng)過計算，得

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