用于硅薄膜太陽(yáng)電池的絨面ZnO透明導(dǎo)電膜的研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文利用中頻脈沖磁控濺射技術(shù)，以摻雜Al 2wt％的Zn:Al合金靶為靶材，研究了用于硅薄膜太陽(yáng)電池的ZnO:Al(ZAO)透明導(dǎo)電薄膜，主要完成了以下幾方面的工作： 1、本實(shí)驗(yàn)使用的是美國(guó)AE公司的中頻脈沖電源，采用中頻脈沖磁控濺射的方法，首先在玻璃襯底上制備平面透明導(dǎo)電薄膜。研究了襯底溫度、濺射功率、工作壓力等沉積條件對(duì)平面ZAO薄膜電學(xué)、光學(xué)、以及結(jié)構(gòu)性能的影響。結(jié)果表明：隨著襯底溫度(截至到220℃)的升高，濺射功率的增

2、大，工作壓力的降低，薄膜電特性得到明顯改善。在實(shí)驗(yàn)和分析的基礎(chǔ)上確定了制備平面ZAO薄膜的最優(yōu)化工藝條件：襯底溫度為220℃，濺射功率為160W，工作壓力為292.6mPa。制備出的ZAO薄膜的方塊電阻為6Ω，電阻率為3.0×10<'-4>Ωcm，載流子濃度為6.95×10<'20>/cm<'3>，霍爾遷移率為83.8cm<'2>/V·s，可見光范圍內(nèi)的平均透過率大于85％。 2、將制備的平面ZAO薄膜在一定濃度的稀HCl中浸泡

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