版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、光伏發(fā)電的應(yīng)用是解決能源與環(huán)境問(wèn)題的有效途徑之一。HITTM(Heterojunction withintrinsic thin layer)太陽(yáng)電池雖然誕生的時(shí)間不長(zhǎng),但是憑借其廉價(jià)高效的巨大優(yōu)勢(shì)成為全球光伏業(yè)界最受關(guān)注的發(fā)展目標(biāo),也成為目前該領(lǐng)域研究與開發(fā)的熱點(diǎn)與難點(diǎn)。 本研究工作目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)高效非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的制備和提高晶體硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率以及降低生產(chǎn)成本向工業(yè)化推進(jìn)。論文的主要研究?jī)?nèi)容如下:
2、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)在p 型單晶硅襯底上制備本征氫化非晶硅和n 型氫化非晶硅薄膜,利用射頻磁控濺射在n 型非晶硅窗口層上制備氧化銦錫(ITO)透明導(dǎo)電膜構(gòu)造非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池,采用光譜響應(yīng)和I-V 測(cè)試手段對(duì)所制備的非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池進(jìn)行測(cè)試和分析。 主要從襯底溫度、射頻功率、濺射氣壓、沉積時(shí)間和退火五個(gè)系列對(duì)氧化銦錫薄膜進(jìn)行了研究。利用四探針?lè)?、Cary 500 scan 紫外-可見光
3、-近紅外光譜測(cè)試儀、原子力顯微鏡(AFM)、X 射線衍射儀(XRD)等手段,從電學(xué)、光學(xué)、表面形貌和微觀結(jié)構(gòu)四個(gè)方面對(duì)制備的氧化銦錫透明導(dǎo)電膜進(jìn)行了深入的研究。結(jié)果表明:ITO 薄膜對(duì)襯底溫度十分敏感,隨著襯底溫度的升高薄膜電阻率逐漸降低。薄膜的電阻率隨功率的增加先是顯著降低后又在最小值基礎(chǔ)上略有增大;光透過(guò)率隨功率呈先增后減的趨勢(shì),120 w 時(shí)制備的薄膜性能最好。濺射氣壓太高或太低,都會(huì)導(dǎo)致薄膜的質(zhì)量較差;0.45 Pa 時(shí)制備的薄
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 單晶硅太陽(yáng)電池制絨研究.pdf
- 摻氮直拉單晶硅在太陽(yáng)電池中的應(yīng)用.pdf
- RF-PECVD制備非晶硅膜及HIT太陽(yáng)電池的研究.pdf
- 單晶硅太陽(yáng)電池關(guān)鍵工藝研究.pdf
- 單晶硅太陽(yáng)電池性能優(yōu)化計(jì)算.pdf
- 單晶硅太陽(yáng)電池鈍化技術(shù)研究.pdf
- 高效納米晶硅-晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的研究.pdf
- 單晶硅太陽(yáng)電池?cái)U(kuò)散工藝研究.pdf
- 太陽(yáng)電池單晶硅絨面制備及應(yīng)用
- 透明導(dǎo)電膜zgo的研究及其在硅基薄膜太陽(yáng)電池中的應(yīng)用(1)
- 單晶硅太陽(yáng)電池線電極質(zhì)量工藝研究.pdf
- 透明導(dǎo)電膜ZGO的研究及其在硅基薄膜太陽(yáng)電池中的應(yīng)用.pdf
- 單晶硅太陽(yáng)電池絲網(wǎng)印刷燒結(jié)工藝研究.pdf
- 單晶硅太陽(yáng)電池制備與環(huán)境保護(hù)
- HIT太陽(yáng)電池硅片處理及復(fù)合透明導(dǎo)電膜的研究.pdf
- 晶硅太陽(yáng)電池減反射膜的研究.pdf
- 非晶硅-晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的初步研究.pdf
- 用于硅薄膜太陽(yáng)電池的絨面ZnO透明導(dǎo)電膜的研究.pdf
- 塑料襯底非晶硅太陽(yáng)電池的研究.pdf
- PECVD制備非晶硅薄膜及其對(duì)HIT太陽(yáng)電池性能的影響.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論