高效HIT非晶硅-單晶硅太陽(yáng)電池中透明導(dǎo)電膜的研究.pdf

1、光伏發(fā)電的應(yīng)用是解決能源與環(huán)境問(wèn)題的有效途徑之一。HITTM(Heterojunction withintrinsic thin layer)太陽(yáng)電池雖然誕生的時(shí)間不長(zhǎng)，但是憑借其廉價(jià)高效的巨大優(yōu)勢(shì)成為全球光伏業(yè)界最受關(guān)注的發(fā)展目標(biāo)，也成為目前該領(lǐng)域研究與開發(fā)的熱點(diǎn)與難點(diǎn)。 本研究工作目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)高效非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的制備和提高晶體硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率以及降低生產(chǎn)成本向工業(yè)化推進(jìn)。論文的主要研究?jī)?nèi)容如下：

2、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）在p 型單晶硅襯底上制備本征氫化非晶硅和n 型氫化非晶硅薄膜，利用射頻磁控濺射在n 型非晶硅窗口層上制備氧化銦錫（ITO）透明導(dǎo)電膜構(gòu)造非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，采用光譜響應(yīng)和I-V 測(cè)試手段對(duì)所制備的非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池進(jìn)行測(cè)試和分析。 主要從襯底溫度、射頻功率、濺射氣壓、沉積時(shí)間和退火五個(gè)系列對(duì)氧化銦錫薄膜進(jìn)行了研究。利用四探針?lè)?、Cary 500 scan 紫外-可見光

3、-近紅外光譜測(cè)試儀、原子力顯微鏡（AFM）、X 射線衍射儀（XRD）等手段，從電學(xué)、光學(xué)、表面形貌和微觀結(jié)構(gòu)四個(gè)方面對(duì)制備的氧化銦錫透明導(dǎo)電膜進(jìn)行了深入的研究。結(jié)果表明：ITO 薄膜對(duì)襯底溫度十分敏感，隨著襯底溫度的升高薄膜電阻率逐漸降低。薄膜的電阻率隨功率的增加先是顯著降低后又在最小值基礎(chǔ)上略有增大；光透過(guò)率隨功率呈先增后減的趨勢(shì)，120 w 時(shí)制備的薄膜性能最好。濺射氣壓太高或太低，都會(huì)導(dǎo)致薄膜的質(zhì)量較差；0.45 Pa 時(shí)制備的薄