芯片制造的實(shí)時(shí)自動(dòng)派工的研究.pdf

1、隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體代工企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)也日趨激烈，美國(guó)，日本，韓國(guó)的代工企業(yè)也逐漸意識(shí)到競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵不僅僅局限于先進(jìn)的工藝技術(shù)，穩(wěn)定的良率。生產(chǎn)周期的重要性也日益凸顯。
　　在這樣的環(huán)境下，先進(jìn)的生產(chǎn)管理方法的重要性愈加突出，本文旨在對(duì)半導(dǎo)體代工企業(yè)提升其管理方法，改善生產(chǎn)周期的方法上做研究，特別針對(duì)復(fù)雜半導(dǎo)體加工設(shè)備前各種條件限定下的派工方法做了細(xì)致的討論。
　　在半導(dǎo)體派工策略上，本文主張著眼于產(chǎn)品堆積的瓶頸設(shè)備上

2、，首先討論典型的半導(dǎo)體代工設(shè)備的作業(yè)方法，針對(duì)如何提升設(shè)備作業(yè)效率上做了詳細(xì)的探討，對(duì)于不同的設(shè)備的限定條件。我們考慮各種產(chǎn)品的不同組合，作業(yè)順序來(lái)提升設(shè)備的作業(yè)效率。
　　研究集中在典型的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，包括對(duì)薄膜成長(zhǎng)設(shè)備，高溫爐管設(shè)備，光刻設(shè)備的派工規(guī)則進(jìn)行了詳細(xì)的討論。首先討論了薄膜成長(zhǎng)設(shè)備PCO(Plasma CVD Oxide)的pilot作業(yè)時(shí)間有效期和產(chǎn)品作業(yè)的關(guān)系，計(jì)算出每臺(tái) PCO設(shè)備pilot可以生產(chǎn)最多產(chǎn)品條

3、件和次數(shù)。通過(guò)降低pilot次數(shù)提高PCO的生產(chǎn)時(shí)間，減少了產(chǎn)品在PCO前排隊(duì)等待的時(shí)間。經(jīng)過(guò)產(chǎn)品測(cè)試，每個(gè)產(chǎn)品等待時(shí)間從4.5小時(shí)降低到4.2小時(shí)，降低了7％以上。隨后討論了低溫氮化膜爐管設(shè)備 LPN(Low Pressure Nitrides)的組批生產(chǎn)的條件搭配優(yōu)化模型，根據(jù)歷史仿真數(shù)據(jù)建立預(yù)測(cè)來(lái)料模型，安排爐管組批生產(chǎn)，增加組批產(chǎn)品選擇數(shù)量，從而提高了組批的產(chǎn)品數(shù)量，提升LPN每次作業(yè)產(chǎn)品的數(shù)量，使得填充率提升了11.6%。對(duì)光