高壓厚膜SOI-LIGBT器件優(yōu)化設(shè)計.pdf

1、單芯片智能功率模塊是將各種高、低壓電路，例如邏輯控制電路、芯片保護(hù)電路、輸出電路以及高壓橫向絕緣柵雙極型晶體管等集成在同一塊芯片上，這樣可以使整個系統(tǒng)具有更高集成度、更低功耗、更強(qiáng)抗干擾能力及更低成本等優(yōu)點(diǎn)，它已成為工業(yè)電機(jī)、空調(diào)及冰箱等中小型功率驅(qū)動系統(tǒng)的核心元件。
　　本文設(shè)計了一種可應(yīng)用于單芯片集成的IPM芯片的厚膜SOI-LIGBT，論文首先介紹了SOI-LIGBT的工作原理及厚膜SOI-LIGBT的特點(diǎn)，然后提出了厚膜S

2、OI-LIGBT的基本架構(gòu)。在此基礎(chǔ)上，首先對器件基本的二維結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真設(shè)計，對其擊穿電壓、閾值電壓、開態(tài)電流密度之間的關(guān)系進(jìn)行了折衷設(shè)計，并選擇了合適的結(jié)構(gòu)與工藝參數(shù)。接著通過在漂移區(qū)上添加特殊場板結(jié)構(gòu)來屏蔽高壓互聯(lián)對器件特性的影響。同時，為優(yōu)化器件閂鎖能力，將發(fā)射區(qū)接觸結(jié)構(gòu)改為P+/N+間隔型結(jié)構(gòu)，并通過提出“蛇形電流溝道”以提高器件的開態(tài)電流密度，最后利用三維器件仿真軟件驗(yàn)證其耐壓特性、閾值特性、電流特性、以及抗閂鎖特性，并與傳統(tǒng)