HCD法制備ITO薄膜的研究.pdf

1、針對全球能源短缺、污染嚴重問題日益嚴重，節(jié)能環(huán)保將是未來全球亟待研究的重要課題。在照明領域，半導體照明即發(fā)光二極管，也叫LED（Light emitting diode），作為新型照明產品，有著節(jié)能、環(huán)保、壽命長等優(yōu)點，正日益受到廣泛關注。在諸多LED材料中，GaN基LED因其特有的禁帶寬度而得到廣泛應用。而ITO薄膜(Indium tinoxide)因其兼具導電和透光的特性被廣泛的作為GaN基LED的電流擴展層。因此，本文以基于GaN

2、基LED的ITO薄膜為研究對象，分析了空心陰極放電(HCD)法制備的ITO薄膜的特性并探討了不同特性的ITO薄膜對GaN基LED的光電性能的影響。
　　首先，本文研究了ITO薄膜的機理、應用及發(fā)展現狀及不同的制備方法制備出的ITO薄膜的特性間的差異;分析了ITO薄膜各項性能的測試方法以及作為GaN基LED電流擴展層的要求:兼具導電、透光、良好的歐姆接觸特性和具備與其它膜層有著良好的披覆性。
　　其次，研究了HCD法（空心陰極

3、放電法）及HCD設備的基本原理。本文采用HCD法制備出不同退火條件下的ITO薄膜，并對所有制備出的ITO薄膜的厚度及退火條件對光電性的影響進行總結分析，分析出制備ITO最合理的薄膜厚度及最佳退火條件。并且通過改變沉積速率及氧氣、氬氣流量的方式，總結出在不同條件下制備的ITO薄膜對GaN基LED光電性的影響結果。
　　最后，為了驗證所分析出的實驗數據有效性和最優(yōu)性，本文研究比較了HCD法制備的ITO薄膜與傳統(tǒng)E-Beam法制備ITO