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1、高頻振動(dòng)時(shí)效技術(shù)消除聚合物光刻膠薄膜的應(yīng)力,克服了傳統(tǒng)時(shí)效方法的應(yīng)力消除周期長(zhǎng)、工藝參數(shù)復(fù)雜、實(shí)驗(yàn)條件要求嚴(yán)格等缺點(diǎn),為快速有效的制備低應(yīng)力聚合物光刻膠薄膜提供了一種新方法。
第一章概述了論文的研究意義和研究?jī)?nèi)容。首先,指出了聚合物光刻膠薄膜在MEMS器件制作領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用;其次,分析了光刻膠薄膜的應(yīng)力產(chǎn)生原因及危害,指出了消除薄膜應(yīng)力的重要意義;再次,評(píng)述了光刻膠薄膜應(yīng)力消除的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀;最后,論述了高頻振動(dòng)時(shí)效消除聚合
2、物光刻膠薄膜應(yīng)力的意義,以AZ4620薄膜為例,簡(jiǎn)述了論文的主要研究?jī)?nèi)容。
第二章研究了高頻振動(dòng)時(shí)效機(jī)理及實(shí)驗(yàn)裝置的組建。首先,從光刻膠薄膜交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的形成和高頻振動(dòng)能量改變分子鏈形態(tài)來(lái)分析時(shí)效機(jī)理;其次,組建了用于薄膜振動(dòng)時(shí)效的高頻激振裝置;最后,分析了表面輪廓法測(cè)量薄膜應(yīng)力的原理,組建了用于測(cè)量薄膜應(yīng)力的輪廓法薄膜應(yīng)力測(cè)量裝置。
第三章研究了聚合物光刻膠薄膜實(shí)驗(yàn)參數(shù)的確定。首先,概述了AZ4620光刻膠薄膜的制備工
3、藝流程,并用厚度為29.3μm的膠膜作為時(shí)效樣品;其次,采用應(yīng)力消除率參數(shù)來(lái)判定時(shí)效效果;最后,根據(jù)樣品的模態(tài)仿真結(jié)果及激振裝置的性能完成激振頻率的確定,通過(guò)分析時(shí)效時(shí)間、激振功率與應(yīng)力消除率的關(guān)系,選定實(shí)驗(yàn)時(shí)效時(shí)間14 min、激振功率20 W。
第四章研究了高頻振動(dòng)時(shí)效的激振參數(shù)對(duì)AZ4620薄膜應(yīng)力消除率的影響。首先,研究了樣品的模態(tài)仿真結(jié)果與應(yīng)力消除率的對(duì)應(yīng)關(guān)系,并根據(jù)激振加速度與應(yīng)力消除率的關(guān)系確定了激振加速度臨界值
4、為8g;其次,根據(jù)時(shí)效規(guī)律,對(duì)薄膜在混合頻率激振6932 Hz、4524 Hz、2581 Hz、1114 Hz、激振電流5A、時(shí)效56 min下振動(dòng)時(shí)效,獲得最佳應(yīng)力消除率為69.28%;最后,分析了薄膜厚度及振動(dòng)時(shí)效的熱作用對(duì)應(yīng)力消除率的影響。
第五章以PI光刻膠為例,研究了高頻振動(dòng)時(shí)效對(duì)其它聚合物光刻膠薄膜應(yīng)力消除的適用性。首先,概述了PI薄膜的制備參數(shù)及其模態(tài)分析;其次,基于正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果及AZ4620薄膜的應(yīng)力消除規(guī)律選
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