二硫化鉬薄膜的制備及其光電探測(cè)特性研究.pdf

1、二硫化鉬（MoS2）薄膜在電學(xué)和光學(xué)方面有著獨(dú)特的性質(zhì)，以及具有直接帶隙的特性，使得其在場(chǎng)效應(yīng)管器件和傳感器等領(lǐng)域內(nèi)有著廣闊的應(yīng)用前景。然而，如何改進(jìn)二硫化鉬材料的制備方法、提高二硫化鉬器件性能以及優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)是促進(jìn)其商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展的關(guān)鍵所在。本論文以二硫化鉬作為研究對(duì)象，闡述了幾種二硫化鉬的制備方法，從理論和實(shí)驗(yàn)方面對(duì)二硫化鉬器件結(jié)構(gòu)的光吸收率進(jìn)行了研究，并且對(duì)二硫化鉬探測(cè)器件在光電特性方面進(jìn)行了測(cè)試。
　　建立了金陣列

2、-MoS2器件結(jié)構(gòu)物理模型，通過(guò)金的表面等離子體對(duì)光場(chǎng)的局域化效應(yīng)來(lái)提高M(jìn)oS2層對(duì)光的吸收,并且吸收率達(dá)到了50％以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)的大于了單純薄膜的光吸收率。同時(shí)，本文也研究討論了在不同情況下金陣列-MoS2器件結(jié)構(gòu)物理模型對(duì)光波吸收效率的影響，主要包括金顆粒半徑的變化、器件周期變化等方面。
　　利用中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所實(shí)驗(yàn)室的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，采用微機(jī)械力剝離法制備出了二硫化鉬薄膜，利用拉曼光譜儀來(lái)測(cè)試了二硫化鉬薄膜的厚度，通過(guò)實(shí)驗(yàn)

3、初步制備了MoS2探測(cè)器件，并對(duì)器件進(jìn)行了測(cè)試，測(cè)試主要包括電學(xué)方面、光電轉(zhuǎn)換方面、時(shí)間響應(yīng)以及mapping方面。在電學(xué)方面主要是測(cè)試了器件的伏安特性曲線和器件的轉(zhuǎn)移特性曲線；在光電轉(zhuǎn)換測(cè)試方面主要有兩點(diǎn)：一是保持測(cè)試波長(zhǎng)的相同光功率，然后測(cè)試不同光波長(zhǎng)下的光電流頻率特性曲線，并且通過(guò)數(shù)據(jù)得到了在波長(zhǎng)為600nm時(shí)探測(cè)器的光電流最大；二是固定一個(gè)測(cè)試波長(zhǎng)，這個(gè)波長(zhǎng)為600nm，然后測(cè)試其在不同光功率下的光電流頻率特性曲線，發(fā)現(xiàn)隨著光功