2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、二維層狀半導(dǎo)體材料以其優(yōu)異的物理、化學(xué)和機(jī)械性能,在光探測(cè)器、光伏器件以及激光器等光電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高性能的光電子器件制備需要高質(zhì)量、低缺陷以及大面積的二維層狀材料,然而,基于當(dāng)前的生長(zhǎng)技術(shù),實(shí)現(xiàn)大面積、高質(zhì)量二維層狀材料的可控生長(zhǎng)仍然面臨著很大的挑戰(zhàn)。為了突破上述材料制備方面的瓶頸,本文重點(diǎn)研究了石墨烯、二硫化鉬(MoS2)及石墨烯/二硫化鉬異質(zhì)結(jié)構(gòu)的可控制備。主要研究?jī)?nèi)容包括:
  1.成功制備出大面積、高質(zhì)量的石

2、墨烯,并利用改進(jìn)的石墨烯轉(zhuǎn)移方法,實(shí)現(xiàn)了大面積石墨烯薄膜的定向轉(zhuǎn)移。揭示了石墨烯在銅基底上的生長(zhǎng)機(jī)理,系統(tǒng)研究了生長(zhǎng)基底、氫氣、甲烷和溫度對(duì)石墨烯性質(zhì)的影響。并構(gòu)建了基于石墨烯的太陽(yáng)能電池。
  2.在常壓下直接在二氧化硅(SiO2)上實(shí)現(xiàn)了少數(shù)層MoS2薄膜的生長(zhǎng)。系統(tǒng)地研究了化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)中生長(zhǎng)溫度、時(shí)間、氣流等因素對(duì)MoS2薄膜生長(zhǎng)的影響規(guī)律。采用直接在SiO2

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