石墨烯、二硫化鉬和石墨烯-二硫化鉬異質(zhì)結(jié)：制備和表征.pdf

1、二維層狀半導(dǎo)體材料以其優(yōu)異的物理、化學(xué)和機(jī)械性能，在光探測(cè)器、光伏器件以及激光器等光電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高性能的光電子器件制備需要高質(zhì)量、低缺陷以及大面積的二維層狀材料，然而，基于當(dāng)前的生長(zhǎng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)大面積、高質(zhì)量二維層狀材料的可控生長(zhǎng)仍然面臨著很大的挑戰(zhàn)。為了突破上述材料制備方面的瓶頸，本文重點(diǎn)研究了石墨烯、二硫化鉬（MoS2）及石墨烯/二硫化鉬異質(zhì)結(jié)構(gòu)的可控制備。主要研究?jī)?nèi)容包括：
　　1.成功制備出大面積、高質(zhì)量的石

2、墨烯，并利用改進(jìn)的石墨烯轉(zhuǎn)移方法，實(shí)現(xiàn)了大面積石墨烯薄膜的定向轉(zhuǎn)移。揭示了石墨烯在銅基底上的生長(zhǎng)機(jī)理，系統(tǒng)研究了生長(zhǎng)基底、氫氣、甲烷和溫度對(duì)石墨烯性質(zhì)的影響。并構(gòu)建了基于石墨烯的太陽(yáng)能電池。
　　2.在常壓下直接在二氧化硅（SiO2）上實(shí)現(xiàn)了少數(shù)層MoS2薄膜的生長(zhǎng)。系統(tǒng)地研究了化學(xué)氣相沉積法（chemical vapor deposition, CVD）中生長(zhǎng)溫度、時(shí)間、氣流等因素對(duì)MoS2薄膜生長(zhǎng)的影響規(guī)律。采用直接在SiO2