CdSe基及CsPbX3(X=Cl、Br、I)量子點的制備及應(yīng)用.pdf

1、本文在現(xiàn)有的制備方法及應(yīng)用的基礎(chǔ)上，采用有機(jī)相合成法制備了高效發(fā)光的不同種類量子點。通過改變表面配體的種類、反應(yīng)時間及反應(yīng)溫度等參數(shù)制備不同種類的CdTexSe1-x核和CdSe核。為提高量子點的發(fā)光性能，考慮核殼量子點的晶格失配度，選用CdyZn1-yS作為殼層材料對CdTexSe1-x核和CdSe核進(jìn)行包覆，在殼層包覆過程中，其相應(yīng)的熒光發(fā)射峰產(chǎn)生明顯的紅移。與CdTexSe1-x核和CdSe核的發(fā)光效率相比，核殼量子點的發(fā)光效率得

2、到了顯著的提高。
　　為使熒光性能良好的核殼量子點應(yīng)用于生物領(lǐng)域，采用不同的方法對油相量子點進(jìn)行水相轉(zhuǎn)換。在兩性聚合物包覆過程中，研究了量子點表面配體、PMSA分子量及量子點尺寸對水相轉(zhuǎn)換的影響。對相同尺寸的量子點而言，PMSA的分子量越大，核殼量子點完成水相轉(zhuǎn)換的時間越短。而利用相同分子量的PMSA對不同尺寸的量子點進(jìn)行水相轉(zhuǎn)換時，其量子點的尺寸越小，則水相轉(zhuǎn)換所需要的時間越短。在二氧化硅包覆過程中，研究了量子點表面配體對水相轉(zhuǎn)

3、換的影響。利用二氧化硅包覆油相量子點后，將CdSe/CdyZn1-yS-OA QDs@SiO2復(fù)合納米顆粒喂入Siha細(xì)胞培養(yǎng)24 h后，細(xì)胞平均成活率可達(dá)90％以上，這類復(fù)合納米顆粒展示了優(yōu)異的熒光穩(wěn)定性、低毒性及生物相容性。
　　利用配體交換法進(jìn)行水相轉(zhuǎn)換及制備量子點基溶膠-凝膠 SiO2薄膜，這種量子點薄膜具有良好的熒光穩(wěn)定性、柔韌性，將CdSe QD-SiO2薄膜與商業(yè)太陽能電池組裝并測試其光電性能發(fā)現(xiàn)電流強(qiáng)度有所增加。<

4、br>　　為擴(kuò)展量子點的應(yīng)用領(lǐng)域，使其應(yīng)用于量子點敏化的太陽能電池領(lǐng)域，將CdSe量子點與 TiO2薄膜進(jìn)行復(fù)合。CdSe@TiO2復(fù)合結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光電流是 TiO2的1.5倍，隨著TiO2薄膜厚度的增加，其復(fù)合結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光電流是隨之增大的，并解釋了光電流產(chǎn)生及增加的機(jī)理。
　　利用一種簡便的溶液合成法制備了無機(jī)鹵化銫鉛鈣鈦礦 CsPbX3(X=Cl, Br, I,或混合鹵化銫鉛CsPb(Cl/Br)3、CsPb(Br/I)3)

5、納米立方片，其具有單分散性、優(yōu)異的熒光性能。通過調(diào)節(jié)不同鹵化鉛PbX2(X=Cl, Br, I)的用量比例，其所制備的CsPbX3納米晶的熒光發(fā)射峰范圍為440-696 nm，對應(yīng)的半高全峰寬為14-35 nm，量子發(fā)光效率可達(dá)95%。此外探究了前驅(qū)體OA-Cs的注射速度對CsPbI3納米晶的形貌的影響，注射速度由快變慢時，由不規(guī)則雜亂的的樣品形貌變?yōu)榫鶆虻募{米棒。通過調(diào)節(jié)前驅(qū)體OA-Cs的用量可以制備得到CsPbBr3納米晶、Cs4P