多孔硅的制備、含能化填充及活性保持研究.pdf

1、本文以P型摻雜單晶硅片為原料，采用雙槽電化學(xué)腐蝕法制備了結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的多孔硅，確定了適宜裝填氧化劑的最優(yōu)制備條件;分別通過真空壓差法、超聲振蕩法、三次滴加法對其進(jìn)行含能化填充，分析了多孔硅制備條件和氧化劑填充方法對制得的納米含能材料發(fā)火性能影響，并采用高速攝影對樣品的燃燒過程進(jìn)行了對比分析;以丙烯酸甲酯為原料對制備的多孔硅樣品進(jìn)行了氫化硅烷化改性，對比了改性前后樣品的活性保持情況。獲得的研究結(jié)果如下:
　　(1)在一定腐蝕條件下，時間

2、對樣品的影響主要表現(xiàn)在腐蝕深度和多孔硅質(zhì)量方面，電流密度的影響主要表現(xiàn)在孔徑大小和孔隙率方面。在腐蝕時間30 min、電流密度90 mA·cm-2的條件下制備的樣品具有較好的多孔形貌和穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，其多孔硅層厚度約70μm，孔隙率達(dá)80％。
　　(2)采用真空壓差法填充氧化劑的綜合效果最優(yōu)，超聲振蕩法效果次之，三次滴加法效果最差。此外，真空壓差法適用于超聲振蕩法所不能填充的高孔隙率樣品，適用范圍更廣，裝填效果優(yōu)勢明顯。當(dāng)樣品電流密度